Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego Kalkulator

✖Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.ⓘ Prąd kolektora [i_c]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%

✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego [g_mp]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
g_mp = i_c/V_t
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd kolektora: 39.52 Miliamper --> 0.03952 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Próg napięcia: 2 Wolt --> 2 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Ocenianie ... ...

g_mp = 0.01976

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

19.76 Millisiemens <-- Transkonduktancja pierwotna MOSFET

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

LaTeX Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Całkowite chwilowe napięcie drenu

LaTeX Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Zobacz więcej >>

< Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Zobacz więcej >>

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego Formułę

LaTeX Iść

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
g_mp = i_c/V_t

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!