Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych Kalkulator

✖Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%
✖Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.ⓘ Napięcie na tlenku [V_ox]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%

✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych [g_mp]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Napięcie na tlenku - (Mierzone w Wolt) - Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd spustowy: 17.5 Miliamper --> 0.0175 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie na tlenku: 3.775 Wolt --> 3.775 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2 Wolt --> 2 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Ocenianie ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Millisiemens <-- Transkonduktancja pierwotna MOSFET

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

LaTeX Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Całkowite chwilowe napięcie drenu

LaTeX Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Zobacz więcej >>

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych Formułę

LaTeX Iść

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!