Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu Kalkulator

✖Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.ⓘ Prąd spustowy [I_d]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramka-źródło tranzystora.ⓘ Bramka do napięcia źródła [V_gs]			+10% -10%

✖Transkonduktancja to stosunek zmiany prądu na zacisku wyjściowym do zmiany napięcia na zacisku wejściowym aktywnego urządzenia.ⓘ Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu [G_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać BJT Formułę PDF PDF Image

Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja = Prąd spustowy/Bramka do napięcia źródła
G_m = I_d/V_gs
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja to stosunek zmiany prądu na zacisku wyjściowym do zmiany napięcia na zacisku wejściowym aktywnego urządzenia.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.
Bramka do napięcia źródła - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramka-źródło tranzystora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd spustowy: 0.3 Miliamper --> 0.0003 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Bramka do napięcia źródła: 17 Wolt --> 17 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G_m = I_d/V_gs --> 0.0003/17

Ocenianie ... ...

G_m = 1.76470588235294E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.76470588235294E-05 Siemens -->0.0176470588235294 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0176470588235294 ≈ 0.017647 Millisiemens <-- Transkonduktancja

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » BJT » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< Transkonduktancja Kalkulatory

Transkonduktancja ciała

LaTeX Iść Transkonduktancja ciała = Parametr transkonduktancji tylnej bramki*Transkonduktancja

Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu

LaTeX Iść Transkonduktancja = Prąd spustowy/Bramka do napięcia źródła

Transkonduktancja zwarciowa

LaTeX Iść Transkonduktancja = Prąd wyjściowy/Napięcie wejściowe

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora

LaTeX Iść Transkonduktancja = Prąd kolektora/Próg napięcia

Zobacz więcej >>

Transkonduktancja BJT przy wewnętrznym wzmocnieniu Formułę

LaTeX Iść

Transkonduktancja = Prąd spustowy/Bramka do napięcia źródła
G_m = I_d/V_gs

Który tranzystor ma większe wzmocnienie BJT lub MOS i dlaczego?

BJT ma większy zysk niż MOSFET, ponieważ MOSFET wykazuje charakterystykę kwadratową IV, a BJT wykazuje charakterystykę wykładniczą IV, a zmiana w zachowaniu wykładniczym jest większa w porównaniu do zachowania kwadratowego.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!