Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Kalkulator

✖Przewodność wyjściowa to parametr charakteryzujący zachowanie tranzystora polowego (FET) w jego obszarze nasycenia.ⓘ Przewodność wyjściowa [g₀]			+10% -10%
✖Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.ⓘ Napięcie wejściowe [V_i]			+10% -10%
✖Napięcie progowe określa się jako napięcie, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić.ⓘ Próg napięcia [V_G]			+10% -10%
✖Napięcie odcięcia reprezentuje napięcie źródła bramki, przy którym kanał MESFET-u zamyka się lub „zacina”.ⓘ Napięcie odcięcia [V_p]			+10% -10%

✖Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.ⓘ Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET [G_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Transkonduktancja MESFET-u - (Mierzone w Siemens) - Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.
Przewodność wyjściowa - (Mierzone w Siemens) - Przewodność wyjściowa to parametr charakteryzujący zachowanie tranzystora polowego (FET) w jego obszarze nasycenia.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe określa się jako napięcie, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić.
Napięcie odcięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie odcięcia reprezentuje napięcie źródła bramki, przy którym kanał MESFET-u zamyka się lub „zacina”.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Przewodność wyjściowa: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.25 Wolt --> 2.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 1.562 Wolt --> 1.562 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie odcięcia: 2.01 Wolt --> 2.01 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Ocenianie ... ...

G_m = 0.0630717433777618

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0630717433777618 Siemens --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transkonduktancja MESFET-u

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Maksymalna częstotliwość robocza

LaTeX Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

LaTeX Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

LaTeX Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Maksymalna częstotliwość oscylacji

LaTeX Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Zobacz więcej >>

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Formułę

LaTeX Iść

Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!