Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu Kalkulator

✖Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesu [k'_n]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródłaⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu [g_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Formuła

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Przykład

0.48 mS = 0.015 A/V² \cdot 0.1 \cdot (4 V - 3.68 V)

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Parametr transkonduktancji procesu - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji procesu: 0.015 Amper na wolt kwadratowy --> 0.015 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik proporcji: 0.1 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 3.68 Wolt --> 3.68 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th) --> 0.015*0.1*(4-3.68)

Ocenianie ... ...

g_m = 0.00048

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00048 Siemens -->0.48 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.48 Millisiemens <-- Transkonduktancja

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< Transkonduktancja Kalkulatory

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja przy podanym prądzie drenu

Iść Transkonduktancja = sqrt(2*Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania

Prąd spustowy za pomocą transkonduktancji

Iść Prąd spustowy = (Napięcie przesterowania)*Transkonduktancja/2

Zobacz więcej >>

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu Formułę

Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!