Całkowita moc dostarczona w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)
PS = Vdd*(Id+I)
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Dostarczone zasilanie - (Mierzone w Wat) - Zasilacze są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, od zasilania małych urządzeń elektronicznych po dostarczanie energii elektrycznej do dużych maszyn i systemów przemysłowych.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania to poziom napięcia dostarczanego do urządzenia elektronicznego i jest to krytyczny parametr wpływający na wydajność i niezawodność urządzenia.
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Aktualny - (Mierzone w Amper) - Prąd to wartość RMS prądów przepływających przez tranzystory MOSFET typu n w połączonym obwodzie.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie zasilania: 6 Wolt --> 6 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy w NMOS: 239 Miliamper --> 0.239 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Aktualny: 5 Miliamper --> 0.005 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
PS = Vdd*(Id+I) --> 6*(0.239+0.005)
Ocenianie ... ...
PS = 1.464
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.464 Wat -->1464 Miliwat (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1464 Miliwat <-- Dostarczone zasilanie
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Anshika Arya
Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur
Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)
PS = Vdd*(Id+I)

Czym jest rozpraszana moc?

Definicja rozpraszania mocy to proces, w którym urządzenie elektroniczne lub elektryczne wytwarza ciepło (straty lub straty energii) jako niepożądaną pochodną swojego pierwotnego działania. Tak jak w przypadku jednostek centralnych, rozpraszanie mocy jest głównym problemem w architekturze komputera. Ponadto rozpraszanie mocy w rezystorach jest uważane za zjawisko występujące naturalnie. Faktem jest, że wszystkie rezystory, które są częścią obwodu i mają spadek napięcia na nich, rozpraszają energię elektryczną. Ponadto ta moc elektryczna przekształca się w energię cieplną, a zatem wszystkie rezystory mają wartość znamionową (moc). Ponadto moc znamionowa rezystora jest klasyfikacją, która parametryzuje maksymalną moc, jaką może on rozproszyć, zanim osiągnie krytyczną awarię.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!