Całkowita moc rozpraszana w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału
PD = Id^2*Ron
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Moc rozproszona - (Mierzone w Wat) - Moc rozpraszana odnosi się do energii, która jest przekształcana w ciepło i tracona w obwodzie lub systemie z powodu obecności oporu, tarcia lub innych form utraty energii.
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
ON Rezystancja kanału - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału ON to wartość rezystancji kanału pomiędzy drenem a źródłem dla dowolnego standardowego obwodu Mosfet.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prąd spustowy w NMOS: 239 Miliamper --> 0.239 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
ON Rezystancja kanału: 0.02 Kilohm --> 20 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Ocenianie ... ...
PD = 1.14242
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.14242 Wat -->1142.42 Miliwat (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1142.42 Miliwat <-- Moc rozproszona
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału
PD = Id^2*Ron

Czym jest rozpraszana moc?

Definicja rozpraszania mocy to proces, w którym urządzenie elektroniczne lub elektryczne wytwarza ciepło (straty lub straty energii) jako niepożądaną pochodną swojego pierwotnego działania. Tak jak w przypadku jednostek centralnych, rozpraszanie mocy jest głównym problemem w architekturze komputera. Ponadto rozpraszanie mocy w rezystorach jest uważane za zjawisko występujące naturalnie. Faktem jest, że wszystkie rezystory, które są częścią obwodu i mają spadek napięcia na nich, rozpraszają energię elektryczną. Ponadto ta moc elektryczna przekształca się w energię cieplną, a zatem wszystkie rezystory mają wartość znamionową (moc). Ponadto moc znamionowa rezystora jest klasyfikacją, która parametryzuje maksymalną moc, jaką może on rozproszyć, zanim osiągnie krytyczną awarię.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!