Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym Kalkulator

✖Pojemność złącza odnosi się do pojemności wynikającej z obszaru wyczerpania pomiędzy końcówkami źródła/drenu a podłożem.ⓘ Pojemność złącza [C_j]			+10% -10%
✖Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.ⓘ Parametr procesu transkonduktancji [k_n]			+10% -10%
✖Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.ⓘ Napięcie wejściowe [V_i]			+10% -10%
✖Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Napięcie początkowe odnosi się do napięcia występującego w określonym punkcie obwodu na początku określonej operacji lub w określonych warunkach.ⓘ Napięcie początkowe [V₁]			+10% -10%
✖Napięcie końcowe odnosi się do poziomu napięcia osiągniętego lub zmierzonego na zakończenie określonego procesu lub zdarzenia.ⓘ Napięcie końcowe [V₂]			+10% -10%

✖Region liniowy opóźnienia czasowego definiuje się jako opóźnienie powstające w wyniku ładowania i rozładowywania kondensatorów podłączonych do NMOS podczas zdarzeń przełączania.ⓘ Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym [t_delay]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 7 Zmienne

Używane funkcje

int - Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x., int(expr, arg, from, to)

Używane zmienne

Region liniowy w opóźnieniu czasowym - (Mierzone w Drugi) - Region liniowy opóźnienia czasowego definiuje się jako opóźnienie powstające w wyniku ładowania i rozładowywania kondensatorów podłączonych do NMOS podczas zdarzeń przełączania.
Pojemność złącza - (Mierzone w Farad) - Pojemność złącza odnosi się do pojemności wynikającej z obszaru wyczerpania pomiędzy końcówkami źródła/drenu a podłożem.
Parametr procesu transkonduktancji - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.
Napięcie początkowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie początkowe odnosi się do napięcia występującego w określonym punkcie obwodu na początku określonej operacji lub w określonych warunkach.
Napięcie końcowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie końcowe odnosi się do poziomu napięcia osiągniętego lub zmierzonego na zakończenie określonego procesu lub zdarzenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność złącza: 95009 Farad --> 95009 Farad Nie jest wymagana konwersja
Parametr procesu transkonduktancji: 4.553 Amper na wolt kwadratowy --> 4.553 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.25 Wolt --> 2.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie początkowe: 5.42 Nanowolt --> 5.42E-09 Wolt (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie końcowe: 6.135 Nanowolt --> 6.135E-09 Wolt (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)

Ocenianie ... ...

t_delay = 706.520454377221

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

706.520454377221 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

706.520454377221 ≈ 706.5205 Drugi <-- Region liniowy w opóźnieniu czasowym

(Obliczenie zakończone za 00.051 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>