Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 7 Zmienne
Używane funkcje
int - Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x., int(expr, arg, from, to)
Używane zmienne
Region liniowy w opóźnieniu czasowym - (Mierzone w Drugi) - Region liniowy opóźnienia czasowego definiuje się jako opóźnienie powstające w wyniku ładowania i rozładowywania kondensatorów podłączonych do NMOS podczas zdarzeń przełączania.
Pojemność złącza - (Mierzone w Farad) - Pojemność złącza odnosi się do pojemności wynikającej z obszaru wyczerpania pomiędzy końcówkami źródła/drenu a podłożem.
Parametr procesu transkonduktancji - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.
Napięcie początkowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie początkowe odnosi się do napięcia występującego w określonym punkcie obwodu na początku określonej operacji lub w określonych warunkach.
Napięcie końcowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie końcowe odnosi się do poziomu napięcia osiągniętego lub zmierzonego na zakończenie określonego procesu lub zdarzenia.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Pojemność złącza: 95009 Farad --> 95009 Farad Nie jest wymagana konwersja
Parametr procesu transkonduktancji: 4.553 Amper na wolt kwadratowy --> 4.553 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.25 Wolt --> 2.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie początkowe: 5.42 Nanowolt --> 5.42E-09 Wolt (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Napięcie końcowe: 6.135 Nanowolt --> 6.135E-09 Wolt (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)
Ocenianie ... ...
tdelay = 706.520454377221
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
706.520454377221 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
706.520454377221 706.5205 Drugi <-- Region liniowy w opóźnieniu czasowym
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Vignesha Naidu
Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
​ LaTeX ​ Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))
Potencjał Fermiego dla typu P
​ LaTeX ​ Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
​ LaTeX ​ Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości
​ LaTeX ​ Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym Formułę

​LaTeX ​Iść
Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!