Napięcie punktu przełączania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Napięcie punktu przełączania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie punktu przełączania odnosi się do napięcia bramki-źródła (Vgs), przy którym MOSFET przechodzi ze stanu wyłączenia do stanu włączenia i odwrotnie.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego do zasilania obwodu elektronicznego lub urządzenia.
Napięcie progowe PMOS - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe PMOS jest krytycznym parametrem, który określa poziom napięcia, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.
Napięcie progowe NMOS - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe NMOS jest krytycznym parametrem określającym napięcie bramki-źródła, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.
Wzmocnienie tranzystora NMOS - Wzmocnienie tranzystora NMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.
Wzmocnienie tranzystora PMOS - Wzmocnienie tranzystora PMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie zasilania: 6.3 Wolt --> 6.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe PMOS: 3.14 Wolt --> 3.14 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe NMOS: 25 Wolt --> 25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Wzmocnienie tranzystora NMOS: 18 --> Nie jest wymagana konwersja
Wzmocnienie tranzystora PMOS: 6.5 --> Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βnp))/(1+sqrt(βnp)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))
Ocenianie ... ...
Vs = 19.1593796922905
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
19.1593796922905 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
19.1593796922905 19.15938 Wolt <-- Napięcie punktu przełączania
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie
​ LaTeX ​ Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))
Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)
Rezystancja kanału
​ LaTeX ​ Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Napięcie punktu przełączania Formułę

​LaTeX ​Iść
Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!