Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Kalkulator

✖Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.ⓘ Moc statyczna CMOS [P_st]			+10% -10%
✖Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.ⓘ Podstawowe napięcie kolektora [V_bc]			+10% -10%
✖Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.ⓘ Prąd bramki [i_g]			+10% -10%
✖Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.ⓘ Aktualna rywalizacja [i_con]			+10% -10%
✖Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.ⓘ Prąd złącza [i_j]			+10% -10%

✖Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.ⓘ Upływ podprogowy przez tranzystory OFF [i_st]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Formuła

i st = (\frac{P st}{V bc}) - (i g + i con + i j)

Przykład

1.601485 mA = (\frac{67.37 mW}{2.02 V}) - (4.5 mA + 25.75 mA + 1.5 mA)

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wskaźniki mocy CMOS Formuły PDF PDF Image

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Prąd podprogowy - (Mierzone w Amper) - Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.
Moc statyczna CMOS - (Mierzone w Wat) - Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.
Podstawowe napięcie kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.
Prąd bramki - (Mierzone w Amper) - Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.
Aktualna rywalizacja - (Mierzone w Amper) - Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.
Prąd złącza - (Mierzone w Amper) - Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Moc statyczna CMOS: 67.37 Miliwat --> 0.06737 Wat (Sprawdź konwersję tutaj)
Podstawowe napięcie kolektora: 2.02 Wolt --> 2.02 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd bramki: 4.5 Miliamper --> 0.0045 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Aktualna rywalizacja: 25.75 Miliamper --> 0.02575 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd złącza: 1.5 Miliamper --> 0.0015 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015)

Ocenianie ... ...

i_st = 0.00160148514851485

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00160148514851485 Amper -->1.60148514851485 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.60148514851485 ≈ 1.601485 Miliamper <-- Prąd podprogowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Wskaźniki mocy CMOS » Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Wskaźniki mocy CMOS Kalkulatory

Przełączanie zasilania

Iść Moc przełączania = Czynnik aktywności*(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Czynnik aktywności

Iść Czynnik aktywności = Moc przełączania/(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Zasilanie zwarciowe w CMOS

Iść Moc zwarciowa = Moc dynamiczna-Moc przełączania

Moc dynamiczna w CMOS

Iść Moc dynamiczna = Moc zwarciowa+Moc przełączania

Zobacz więcej >>

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Formułę

Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j)

Jakie są źródła rozpraszania mocy w CMOS?

Rozpraszanie mocy w obwodach CMOS pochodzi z dwóch elementów. Są to rozpraszanie dynamiczne i rozpraszanie statyczne.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!