Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentu wygranej
Ułamek mieszany
NWW dwóch liczby
Współczynnik odchylenia podłoża Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Elektronika analogowa
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Tranzystor MOS
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Więcej >>
✖
Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.
ⓘ
Dopingujące stężenie akceptora [N
A
]
Elektrony na centymetr sześcienny
Elektrony na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
ⓘ
Pojemność tlenkowa [C
ox
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
Współczynnik odchylenia podłoża to parametr używany w modelowaniu urządzeń z tranzystorem polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
ⓘ
Współczynnik odchylenia podłoża [γ
s
]
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Współczynnik odchylenia podłoża
Formuła
γ
s
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
C
ox
Przykład
5.7E-7
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
3.9 F
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Współczynnik odchylenia podłoża Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Współczynnik odchylenia podłoża
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingujące stężenie akceptora
)/
Pojemność tlenkowa
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Ta formuła używa
2
Stałe
,
1
Funkcje
,
3
Zmienne
Używane stałe
[Permitivity-silicon]
- Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e]
- Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane funkcje
sqrt
- Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Współczynnik odchylenia podłoża
- Współczynnik odchylenia podłoża to parametr używany w modelowaniu urządzeń z tranzystorem polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Dopingujące stężenie akceptora
-
(Mierzone w Elektrony na metr sześcienny)
- Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.
Pojemność tlenkowa
-
(Mierzone w Farad)
- Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Dopingujące stężenie akceptora:
1.32 Elektrony na centymetr sześcienny --> 1320000 Elektrony na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Pojemność tlenkowa:
3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Ocenianie ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.70407834987726E-07 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Współczynnik odchylenia podłoża
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Tranzystor MOS
»
Współczynnik odchylenia podłoża
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego
(UDERZENIE)
,
Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
Tranzystor MOS Kalkulatory
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Iść
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
= -(2*
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
)/(
Napięcie końcowe
-
Napięcie początkowe
)*(
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
-
Napięcie końcowe
)-
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
-
Napięcie początkowe
)))
Potencjał Fermiego dla typu P
Iść
Potencjał Fermiego dla typu P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Wewnętrzne stężenie nośnika
/
Dopingujące stężenie akceptora
)
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
Iść
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
=
Obwód ściany bocznej
*
Pojemność złącza ściany bocznej
*
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości
Iść
Pojemność złącza ściany bocznej
=
Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej
*
Głębokość ściany bocznej
Zobacz więcej >>
Współczynnik odchylenia podłoża Formułę
Współczynnik odchylenia podłoża
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingujące stężenie akceptora
)/
Pojemność tlenkowa
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!