Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Kalkulator

✖Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.ⓘ Szerokość przejścia [W]			+10% -10%
✖Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.ⓘ Długość źródła [D_s]			+10% -10%

✖Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji definiuje się jako obwód źródła dyfuzji, nie uwzględniając krawędzi pod bramką.ⓘ Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji [P_s]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF PDF Image

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji - (Mierzone w Metr) - Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji definiuje się jako obwód źródła dyfuzji, nie uwzględniając krawędzi pod bramką.
Szerokość przejścia - (Mierzone w Metr) - Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.
Długość źródła - (Mierzone w Metr) - Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość przejścia: 89.82 Milimetr --> 0.08982 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość źródła: 61 Milimetr --> 0.061 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Ocenianie ... ...

P_s = 0.30164

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.30164 Metr -->301.64 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

301.64 Milimetr <-- Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS

LaTeX Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Krytyczne napięcie CMOS

LaTeX Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość dyfuzji źródła

LaTeX Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

LaTeX Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Zobacz więcej >>

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Formułę

LaTeX Iść

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

Co to jest model pojemności dyfuzji MOS?

Połączenie p–n między źródłem dyfuzji a ciałem przyczynia się do pasożytniczej pojemności w całym regionie zubożenia. Pojemność zależy zarówno od powierzchni AS, jak i obwodu PS ścianki bocznej obszaru dyfuzji źródła. Ponieważ grubość obszaru zubożenia zależy od warunków obciążenia, te pasożyty są nieliniowe.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!