✖Szerokość kanału definiuje się jako fizyczną szerokość kanału półprzewodnikowego pomiędzy zaciskami źródła i drenu w strukturze tranzystora.ⓘ Szerokość kanału [Wc] | | | +10% -10% |
✖Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia definiuje się jako maksymalną prędkość osiąganą przez elektrony w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni jest definiowana jako pojemność na jednostkę powierzchni izolującej warstwy tlenku, która oddziela metalową bramkę od materiału półprzewodnikowego.ⓘ Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni [Coxide] | | | +10% -10% |
✖Napięcie źródła drenu nasycenia definiuje się jako napięcie na zaciskach drenu i źródła tranzystora MOSFET, gdy tranzystor pracuje w trybie nasycenia.ⓘ Napięcie źródła drenażu nasycenia [VDsat] | | | +10% -10% |