Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Kalkulator

✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Napięcie nasycenia drenu i źródła to napięcie, przy którym FET nie może już działać jako wzmacniacz, a jego napięcie wyjściowe zostaje ustalone na wartości maksymalnej.ⓘ Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET [V_ds(s)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
V_ds(s) = V_gs-V_th
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie nasycenia drenu i źródła - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia drenu i źródła to napięcie, przy którym FET nie może już działać jako wzmacniacz, a jego napięcie wyjściowe zostaje ustalone na wartości maksymalnej.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2.3 Wolt --> 2.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Ocenianie ... ...

V_ds(s) = 1.7

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.7 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.7 Wolt <-- Napięcie nasycenia drenu i źródła

(Obliczenie zakończone za 00.007 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Napięcie Kalkulatory

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

LaTeX Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

LaTeX Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

LaTeX Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

LaTeX Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Zobacz więcej >>

< Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

LaTeX Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

LaTeX Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Zobacz więcej >>

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Formułę

LaTeX Iść

Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
V_ds(s) = V_gs-V_th

Co to jest obszar nasycenia MOSFET?

W obszarze nasycenia lub liniowym tranzystor będzie spolaryzowany tak, że maksymalna ilość napięcia bramki jest przyłożona do urządzenia, co skutkuje rezystancją kanału RDS (możliwie najmniejszą z maksymalnym prądem drenu przepływającym przez przełącznik MOSFET).

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!