Napięcie nasycenia IGBT Kalkulator

✖Napięcie emitera bazowego PNP IGBT. IGBT to urządzenie hybrydowe, które łączy w sobie zalety tranzystora MOSFET i BJT.ⓘ Napięcie emitera bazowego PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖Prąd drenu (IGBT) to prąd przepływający przez złącze drenu MOSFET i IGBT.ⓘ Prąd drenu (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Rezystancja przewodności IGBT to rezystancja, gdy IGBT jest włączony i przewodzi prąd.ⓘ Odporność na przewodność IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖Rezystancja kanału N (IGBT) to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.ⓘ Rezystancja kanału N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖Napięcie nasycenia kolektor-emiter (IGBT) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd.ⓘ Napięcie nasycenia IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zaawansowane urządzenia tranzystorowe Formuły PDF PDF Image

Napięcie nasycenia IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT) = Napięcie emitera bazowego PNP IGBT+Prąd drenu (IGBT)*(Odporność na przewodność IGBT+Rezystancja kanału N (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT) - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia kolektor-emiter (IGBT) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd.
Napięcie emitera bazowego PNP IGBT - (Mierzone w Wolt) - Napięcie emitera bazowego PNP IGBT. IGBT to urządzenie hybrydowe, które łączy w sobie zalety tranzystora MOSFET i BJT.
Prąd drenu (IGBT) - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu (IGBT) to prąd przepływający przez złącze drenu MOSFET i IGBT.
Odporność na przewodność IGBT - (Mierzone w Om) - Rezystancja przewodności IGBT to rezystancja, gdy IGBT jest włączony i przewodzi prąd.
Rezystancja kanału N (IGBT) - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału N (IGBT) to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie emitera bazowego PNP IGBT: 2.15 Wolt --> 2.15 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd drenu (IGBT): 105 Miliamper --> 0.105 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na przewodność IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja kanału N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Ocenianie ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1222.25 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1222.25 Wolt <-- Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT)

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » IGBT » Napięcie nasycenia IGBT

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< IGBT Kalkulatory

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

LaTeX Iść Spadek napięcia na stopniu ON (IGBT) = Prąd przewodzenia (IGBT)*Rezystancja kanału N (IGBT)+Prąd przewodzenia (IGBT)*Odporność na dryf (IGBT)+Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT)

Czas wyłączenia IGBT

LaTeX Iść Czas wyłączenia (IGBT) = Czas opóźnienia (IGBT)+Początkowy czas opadania (IGBT)+Ostateczny czas opadania (IGBT)

Pojemność wejściowa IGBT

LaTeX Iść Pojemność wejściowa (IGBT) = Pojemność bramki do emitera (IGBT)+Pojemność bramki do kolektora (IGBT)

Prąd emitera IGBT

LaTeX Iść Prąd emitera (IGBT) = Prąd otworu (IGBT)+Prąd elektroniczny (IGBT)

Zobacz więcej >>