Czas nasycenia Kalkulator

✖Pojemność obciążenia to całkowita pojemność podłączona do zacisku wyjściowego tranzystora, łącznie z komponentami zewnętrznymi i własną pojemnością pasożytniczą MOSFET-u.ⓘ Pojemność obciążenia [C_load]			+10% -10%
✖Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.ⓘ Parametr procesu transkonduktancji [k_n]			+10% -10%
✖Wysokie napięcie wyjściowe to maksymalny poziom napięcia, jaki tranzystor może osiągnąć na zacisku wyjściowym, gdy jest całkowicie włączony (praca w stanie nasycenia).ⓘ Wysokie napięcie wyjściowe [V_OH]			+10% -10%
✖Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%

✖Czas nasycenia to czas potrzebny, aby napięcie wyjściowe MOSFET-u osiągnęło określony poziom (Vⓘ Czas nasycenia [T_sat]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Czas nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Czas nasycenia = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

int - Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x., int(expr, arg, from, to)

Używane zmienne

Czas nasycenia - (Mierzone w Drugi) - Czas nasycenia to czas potrzebny, aby napięcie wyjściowe MOSFET-u osiągnęło określony poziom (V
Pojemność obciążenia - (Mierzone w Farad) - Pojemność obciążenia to całkowita pojemność podłączona do zacisku wyjściowego tranzystora, łącznie z komponentami zewnętrznymi i własną pojemnością pasożytniczą MOSFET-u.
Parametr procesu transkonduktancji - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.
Wysokie napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Wysokie napięcie wyjściowe to maksymalny poziom napięcia, jaki tranzystor może osiągnąć na zacisku wyjściowym, gdy jest całkowicie włączony (praca w stanie nasycenia).
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność obciążenia: 9.77 Farad --> 9.77 Farad Nie jest wymagana konwersja
Parametr procesu transkonduktancji: 4.553 Amper na wolt kwadratowy --> 4.553 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Wysokie napięcie wyjściowe: 3.789 Wolt --> 3.789 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T) --> -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91)

Ocenianie ... ...

T_sat = 5.63810361511811

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.63810361511811 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5.63810361511811 ≈ 5.638104 Drugi <-- Czas nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Czas nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>