Prąd nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd nasycenia = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Szerokość złącza podstawowego
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane zmienne
Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Bazowy obszar emitera - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Bazowy obszar emitera definiuje się jako pole przekroju poprzecznego złącza bazowego emitera we wzmacniaczu.
Dyfuzyjność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Dyfuzyjność elektronów to prąd dyfuzyjny, czyli prąd w półprzewodniku spowodowany dyfuzją nośników ładunku (dziur i/lub elektronów).
Stężenie równowagi termicznej - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie równowagi termicznej definiuje się jako stężenie nośników we wzmacniaczu.
Szerokość złącza podstawowego - (Mierzone w Metr) - Szerokość złącza bazowego to parametr określający szerokość złącza bazowego dowolnego analogowego elementu elektroniki.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Bazowy obszar emitera: 0.12 Centymetr Kwadratowy --> 1.2E-05 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Dyfuzyjność elektronów: 0.8 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 8E-05 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Stężenie równowagi termicznej: 1E+15 1 na centymetr sześcienny --> 1E+21 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Szerokość złącza podstawowego: 0.0085 Centymetr --> 8.5E-05 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05
Ocenianie ... ...
isat = 0.00180951712376471
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.00180951712376471 Amper -->1.80951712376471 Miliamper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.80951712376471 1.809517 Miliamper <-- Prąd nasycenia
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka wzmacniacza Kalkulatory

Szerokość złącza podstawowego wzmacniacza
​ Iść Szerokość złącza podstawowego = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Prąd nasycenia
Napięcie różnicowe we wzmacniaczu
​ Iść Różnicowy sygnał wejściowy = Napięcie wyjściowe/((Opór 4/Opór 3)*(1+(Opór 2)/Opór 1))
Obecny zysk wzmacniacza
​ Iść Aktualny zysk = Prąd wyjściowy/Prąd wejściowy
Wzmocnienie mocy wzmacniacza
​ Iść Zysk mocy = Załaduj moc/Moc wejściowa

Prąd nasycenia Formułę

Prąd nasycenia = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Szerokość złącza podstawowego
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb

Dlaczego obliczamy prąd nasycenia w tranzystorze?

Obliczanie prądu nasycenia w tranzystorach ma kluczowe znaczenie dla zrozumienia ich zachowania i wydajności. Prąd nasycenia to prąd, przy którym prąd wejściowy nie ma już wpływu na napięcie wyjściowe tranzystora. Reprezentuje maksymalny prąd, jaki może wytrzymać tranzystor bez znacznego zniekształcania jego sygnału wyjściowego.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!