Prąd nasycenia Kalkulator

✖Bazowy obszar emitera definiuje się jako pole przekroju poprzecznego złącza bazowego emitera we wzmacniaczu.ⓘ Bazowy obszar emitera [A_be]			+10% -10%
✖Dyfuzyjność elektronów to prąd dyfuzyjny, czyli prąd w półprzewodniku spowodowany dyfuzją nośników ładunku (dziur i/lub elektronów).ⓘ Dyfuzyjność elektronów [D_n]			+10% -10%
✖Stężenie równowagi termicznej definiuje się jako stężenie nośników we wzmacniaczu.ⓘ Stężenie równowagi termicznej [n_po]			+10% -10%
✖Szerokość złącza bazowego to parametr określający szerokość złącza bazowego dowolnego analogowego elementu elektroniki.ⓘ Szerokość złącza podstawowego [w_b]			+10% -10%

✖Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.ⓘ Prąd nasycenia [i_sat]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza Formuły PDF PDF Image

Prąd nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd nasycenia = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Szerokość złącza podstawowego
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Bazowy obszar emitera - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Bazowy obszar emitera definiuje się jako pole przekroju poprzecznego złącza bazowego emitera we wzmacniaczu.
Dyfuzyjność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Dyfuzyjność elektronów to prąd dyfuzyjny, czyli prąd w półprzewodniku spowodowany dyfuzją nośników ładunku (dziur i/lub elektronów).
Stężenie równowagi termicznej - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie równowagi termicznej definiuje się jako stężenie nośników we wzmacniaczu.
Szerokość złącza podstawowego - (Mierzone w Metr) - Szerokość złącza bazowego to parametr określający szerokość złącza bazowego dowolnego analogowego elementu elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Bazowy obszar emitera: 0.12 Centymetr Kwadratowy --> 1.2E-05 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Dyfuzyjność elektronów: 0.8 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 8E-05 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie równowagi termicznej: 1E+15 1 na centymetr sześcienny --> 1E+21 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość złącza podstawowego: 0.0085 Centymetr --> 8.5E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05

Ocenianie ... ...

i_sat = 0.00180951712376471

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00180951712376471 Amper -->1.80951712376471 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.80951712376471 ≈ 1.809517 Miliamper <-- Prąd nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Charakterystyka wzmacniacza » Prąd nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka wzmacniacza Kalkulatory

Szerokość złącza podstawowego wzmacniacza

LaTeX Iść Szerokość złącza podstawowego = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Prąd nasycenia

Napięcie różnicowe we wzmacniaczu

LaTeX Iść Różnicowy sygnał wejściowy = Napięcie wyjściowe/((Opór 4/Opór 3)*(1+(Opór 2)/Opór 1))

Obecny zysk wzmacniacza

LaTeX Iść Aktualny zysk = Prąd wyjściowy/Prąd wejściowy

Wzmocnienie mocy wzmacniacza

LaTeX Iść Zysk mocy = Załaduj moc/Moc wejściowa

Zobacz więcej >>

Prąd nasycenia Formułę

LaTeX Iść

Prąd nasycenia = (Bazowy obszar emitera*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*Stężenie równowagi termicznej)/Szerokość złącza podstawowego
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b

Dlaczego obliczamy prąd nasycenia w tranzystorze?

Obliczanie prądu nasycenia w tranzystorach ma kluczowe znaczenie dla zrozumienia ich zachowania i wydajności. Prąd nasycenia to prąd, przy którym prąd wejściowy nie ma już wpływu na napięcie wyjściowe tranzystora. Reprezentuje maksymalny prąd, jaki może wytrzymać tranzystor bez znacznego zniekształcania jego sygnału wyjściowego.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Dutch

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!