Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS Kalkulator

✖Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego przez źródło zasilania do obwodu elektrycznego lub urządzenia, służącego jako różnica potencjałów dla przepływu prądu i działania.ⓘ Napięcie zasilania [V_DD]			+10% -10%
✖Napięcie progowe zerowego polaryzacji odnosi się do napięcia progowego tranzystora MOSFET, gdy do podłoża nie jest przykładane żadne dodatkowe napięcie polaryzacji, zwykle mierzone pomiędzy bramką a źródłem.ⓘ Napięcie progowe zerowego odchylenia [V_T0]			+10% -10%
✖Transkonduktancja NMOS odnosi się do stosunku zmiany wyjściowego prądu drenu do zmiany wejściowego napięcia bramka-źródło, gdy napięcie dren-źródło jest stałe.ⓘ Transkonduktancja NMOS [K_n]			+10% -10%
✖Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrznego obciążenia podłączonego do obwodu, określająca wielkość pobieranego prądu i wpływająca na napięcie i rozkład mocy w obwodzie.ⓘ Odporność na obciążenie [R_L]			+10% -10%

✖Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego dla obciążenia rezystancyjnego to najniższy poziom napięcia, jaki urządzenie lub obwód może niezawodnie zapewnić na zacisku wyjściowym podczas pracy w określonych warunkach.ⓘ Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS [V_OL(RL)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Formuła

V OL(RL) = V DD - V T0 + (\frac{1}{K n \cdot R L}) - \sqrt{{(V DD - V T0 + (\frac{1}{K n \cdot R L}))}^{2} - (2 \cdot \frac{V DD}{K n \cdot R L})}

Przykład

0.004341 V = 3.3 V - 1.4 V + (\frac{1}{200 µA/V² \cdot 2 MΩ}) - \sqrt{{(3.3 V - 1.4 V + (\frac{1}{200 µA/V² \cdot 2 MΩ}))}^{2} - (2 \cdot \frac{3.3 V}{200 µA/V² \cdot 2 MΩ})}

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Falowniki CMOS Formuły PDF PDF Image

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-sqrt((Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))^2-(2*Napięcie zasilania/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))
V_OL(RL) = V_DD-V_T0+(1/(K_n*R_L))-sqrt((V_DD-V_T0+(1/(K_n*R_L)))^2-(2*V_DD/(K_n*R_L)))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego - (Mierzone w Wolt) - Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego dla obciążenia rezystancyjnego to najniższy poziom napięcia, jaki urządzenie lub obwód może niezawodnie zapewnić na zacisku wyjściowym podczas pracy w określonych warunkach.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego przez źródło zasilania do obwodu elektrycznego lub urządzenia, służącego jako różnica potencjałów dla przepływu prądu i działania.
Napięcie progowe zerowego odchylenia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe zerowego polaryzacji odnosi się do napięcia progowego tranzystora MOSFET, gdy do podłoża nie jest przykładane żadne dodatkowe napięcie polaryzacji, zwykle mierzone pomiędzy bramką a źródłem.
Transkonduktancja NMOS - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Transkonduktancja NMOS odnosi się do stosunku zmiany wyjściowego prądu drenu do zmiany wejściowego napięcia bramka-źródło, gdy napięcie dren-źródło jest stałe.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrznego obciążenia podłączonego do obwodu, określająca wielkość pobieranego prądu i wpływająca na napięcie i rozkład mocy w obwodzie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie zasilania: 3.3 Wolt --> 3.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe zerowego odchylenia: 1.4 Wolt --> 1.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Transkonduktancja NMOS: 200 Mikroamper na wolt kwadratowy --> 0.0002 Amper na wolt kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na obciążenie: 2 Megaom --> 2000000 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_OL(RL) = V_DD-V_T0+(1/(K_n*R_L))-sqrt((V_DD-V_T0+(1/(K_n*R_L)))^2-(2*V_DD/(K_n*R_L))) --> 3.3-1.4+(1/(0.0002*2000000))-sqrt((3.3-1.4+(1/(0.0002*2000000)))^2-(2*3.3/(0.0002*2000000)))

Ocenianie ... ...

V_OL(RL) = 0.00434135278423065

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00434135278423065 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.00434135278423065 ≈ 0.004341 Wolt <-- Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Falowniki CMOS » Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Falowniki CMOS Kalkulatory

Maksymalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Napięcie progowe CMOS

Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))

Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe

Zobacz więcej >>