Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Matematyka Plac zabaw Zdrowie

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Inżynieria chemiczna Inżynieria materiałowa Inżynieria produkcji Mechaniczny

⤿

MOSFET BJT

⤿

Tranzystor MOS Aktualny Analiza małych sygnałów Charakterystyka MOSFET-u Napięcie Opór Stronniczy Transkonduktancja Ulepszenie kanału N Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)Współczynnik wzmocnienia lub wzmocnienie Wzmocnienie kanału P

✖Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.ⓘ Liczba równoległych tranzystorów sterujących [n]			+10% -10%
✖Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.ⓘ Szerokość kanału [W]			+10% -10%
✖Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Napięcie wyjściowe w n-kanałowym obwodzie MOSFET z rezystorem obniżającym, Vⓘ Napięcie wyjściowe [V_out]			+10% -10%

✖Prąd obniżający w obszarze liniowym to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie liniowym.ⓘ Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym [I_D(linear)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Formuła

I D(linear) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot (2 \cdot (V GS - V T) \cdot V out - {V out}^{2}))

Przykład

37526.28 A = \sum (x, 0, 11, (9.92 m²/V*s \cdot \frac{3.9 F}{2}) \cdot (\frac{2.678 m}{3.45 m}) \cdot (2 \cdot (29.65 V - 5.91 V) \cdot 4.89 V - {4.89 V}^{2}))

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Region liniowy Prądu ściągającego = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(2*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie wyjściowe-Napięcie wyjściowe^2))
I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 9 Zmienne

Używane funkcje

sum - Notacja sumacyjna lub notacja sigma (∑) to metoda używana do zapisywania długich sum w zwięzły sposób., sum(i, from, to, expr)

Używane zmienne

Region liniowy Prądu ściągającego - (Mierzone w Amper) - Prąd obniżający w obszarze liniowym to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie liniowym.
Liczba równoległych tranzystorów sterujących - Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.
Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe w n-kanałowym obwodzie MOSFET z rezystorem obniżającym, V

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Liczba równoległych tranzystorów sterujących: 11 --> Nie jest wymagana konwersja
Mobilność elektronów: 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Szerokość kanału: 2.678 Metr --> 2.678 Metr Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3.45 Metr --> 3.45 Metr Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 29.65 Wolt --> 29.65 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wyjściowe: 4.89 Wolt --> 4.89 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))

Ocenianie ... ...

I_D(linear) = 37526.2792793155

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37526.2792793155 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37526.2792793155 ≈ 37526.28 Amper <-- Region liniowy Prądu ściągającego

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 5 Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Potencjał Fermiego dla typu N

Iść Potencjał Fermiego dla typu N = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Stężenie domieszki dawcy/Wewnętrzne stężenie nośnika)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!