Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia Kalkulator

✖Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.ⓘ Liczba równoległych tranzystorów sterujących [n]			+10% -10%
✖Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.ⓘ Szerokość kanału [W]			+10% -10%
✖Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%

✖Prąd obniżania obszaru nasycenia to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie nasycenia.ⓘ Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia [I_D(sat)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd ściągania obszaru nasycenia = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 8 Zmienne

Używane funkcje

sum - Notacja sumy lub sigma (∑) to metoda służąca do zapisania długiej sumy w zwięzłej formie., sum(i, from, to, expr)

Używane zmienne

Prąd ściągania obszaru nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd obniżania obszaru nasycenia to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie nasycenia.
Liczba równoległych tranzystorów sterujących - Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Liczba równoległych tranzystorów sterujących: 11 --> Nie jest wymagana konwersja
Mobilność elektronów: 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Szerokość kanału: 2.678 Metr --> 2.678 Metr Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3.45 Metr --> 3.45 Metr Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 29.65 Wolt --> 29.65 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Ocenianie ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

101550.118939559 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

101550.118939559 ≈ 101550.1 Amper <-- Prąd ściągania obszaru nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.008 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>