Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową Kalkulator

✖Pojemność obciążenia CMOS falownika to pojemność napędzana przez wyjście falownika CMOS, włączając okablowanie, pojemności wejściowe podłączonych bramek i pojemności pasożytnicze.ⓘ Pojemność obciążenia falownika CMOS [C_load]			+10% -10%
✖Transkonduktancja PMOS odnosi się do stosunku zmiany wyjściowego prądu drenu do zmiany wejściowego napięcia bramka-źródło, gdy napięcie dren-źródło jest stałe.ⓘ Transprzewodnictwo PMOS [K_p]			+10% -10%
✖Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego przez źródło zasilania do obwodu elektrycznego lub urządzenia, służącego jako różnica potencjałów dla przepływu prądu i działania.ⓘ Napięcie zasilania [V_DD]			+10% -10%
✖Napięcie progowe PMOS z polaryzacją ciała definiuje się jako wartość minimalnego wymaganego napięcia bramki dla PMOS, gdy podłoże nie ma potencjału masy.ⓘ Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała [V_T,p]			+10% -10%

✖Czas przejścia sygnału wyjściowego z niskiego do wysokiego oznacza czas potrzebny sygnałowi na zacisku wyjściowym urządzenia lub obwodu do przejścia z poziomu niskiego napięcia do wysokiego poziomu napięcia.ⓘ Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową [ζ_PLH]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową

Formuła

ζ PLH = (\frac{C load}{K p \cdot (V DD - | V T,p |)}) \cdot ((\frac{2 \cdot | V T,p |}{V DD - | V T,p |}) + \ln ((4 \cdot \frac{V DD - | V T,p |}{V DD}) - 1))

Przykład

0.006765 ns = (\frac{0.93 fF}{80 µA/V² \cdot (3.3 V - | -0.9 V |)}) \cdot ((\frac{2 \cdot | -0.9 V |}{3.3 V - | -0.9 V |}) + \ln ((4 \cdot \frac{3.3 V - | -0.9 V |}{3.3 V}) - 1))

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Falowniki CMOS Formuły PDF PDF Image

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia falownika CMOS/(Transprzewodnictwo PMOS*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))))*(((2*abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała)))+ln((4*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/Napięcie zasilania)-1))
ζ_PLH = (C_load/(K_p*(V_DD-abs(V_T,p))))*(((2*abs(V_T,p))/(V_DD-abs(V_T,p)))+ln((4*(V_DD-abs(V_T,p))/V_DD)-1))
Ta formuła używa 2 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)
abs - Wartość bezwzględna liczby to jej odległość od zera na osi liczbowej. Jest to zawsze wartość dodatnia, ponieważ reprezentuje wielkość liczby bez uwzględnienia jej kierunku., abs(Number)

Używane zmienne

Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy - (Mierzone w Drugi) - Czas przejścia sygnału wyjściowego z niskiego do wysokiego oznacza czas potrzebny sygnałowi na zacisku wyjściowym urządzenia lub obwodu do przejścia z poziomu niskiego napięcia do wysokiego poziomu napięcia.
Pojemność obciążenia falownika CMOS - (Mierzone w Farad) - Pojemność obciążenia CMOS falownika to pojemność napędzana przez wyjście falownika CMOS, włączając okablowanie, pojemności wejściowe podłączonych bramek i pojemności pasożytnicze.
Transprzewodnictwo PMOS - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Transkonduktancja PMOS odnosi się do stosunku zmiany wyjściowego prądu drenu do zmiany wejściowego napięcia bramka-źródło, gdy napięcie dren-źródło jest stałe.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego przez źródło zasilania do obwodu elektrycznego lub urządzenia, służącego jako różnica potencjałów dla przepływu prądu i działania.
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe PMOS z polaryzacją ciała definiuje się jako wartość minimalnego wymaganego napięcia bramki dla PMOS, gdy podłoże nie ma potencjału masy.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność obciążenia falownika CMOS: 0.93 Femtofarad --> 9.3E-16 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Transprzewodnictwo PMOS: 80 Mikroamper na wolt kwadratowy --> 8E-05 Amper na wolt kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie zasilania: 3.3 Wolt --> 3.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała: -0.9 Wolt --> -0.9 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

ζ_PLH = (C_load/(K_p*(V_DD-abs(V_T,p))))*(((2*abs(V_T,p))/(V_DD-abs(V_T,p)))+ln((4*(V_DD-abs(V_T,p))/V_DD)-1)) --> (9.3E-16/(8E-05*(3.3-abs((-0.9)))))*(((2*abs((-0.9)))/(3.3-abs((-0.9))))+ln((4*(3.3-abs((-0.9)))/3.3)-1))

Ocenianie ... ...

ζ_PLH = 6.76491283010572E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

6.76491283010572E-12 Drugi -->0.00676491283010572 Nanosekunda (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.00676491283010572 ≈ 0.006765 Nanosekunda <-- Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Falowniki CMOS » Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< Falowniki CMOS Kalkulatory

Maksymalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Napięcie progowe CMOS

Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))

Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe

Zobacz więcej >>