NWW dwóch liczby

Potencjał od drenażu do źródła Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Konstrukcja analogowa VLSI Optymalizacja materiałów VLSI

✖Napięcie progowe dibl definiuje się jako minimalne napięcie wymagane przez złącze źródłowe potencjału ciała, gdy źródło ma potencjał ciała.ⓘ Napięcie progowe DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%
✖Współczynnik DIBL w urządzeniu cmos jest zwykle rzędu 0,1.ⓘ Współczynnik DIBL [η]			+10% -10%

✖Odpływ do źródła Potencjał to potencjał pomiędzy drenem a źródłem.ⓘ Potencjał od drenażu do źródła [V_ds]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Potencjał od drenażu do źródła Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Drenaż do potencjału źródłowego = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Współczynnik DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Drenaż do potencjału źródłowego - (Mierzone w Wolt) - Odpływ do źródła Potencjał to potencjał pomiędzy drenem a źródłem.
Napięcie progowe DIBL - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe dibl definiuje się jako minimalne napięcie wymagane przez złącze źródłowe potencjału ciała, gdy źródło ma potencjał ciała.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Współczynnik DIBL - Współczynnik DIBL w urządzeniu cmos jest zwykle rzędu 0,1.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie progowe DIBL: 0.59 Wolt --> 0.59 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.3 Wolt --> 0.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik DIBL: 0.2 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Ocenianie ... ...

V_ds = 1.45

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.45 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.45 Wolt <-- Drenaż do potencjału źródłowego

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Konstrukcja analogowa VLSI » Potencjał od drenażu do źródła

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Konstrukcja analogowa VLSI Kalkulatory

Opróżnij napięcie

LaTeX Iść Podstawowe napięcie kolektora = sqrt(Moc dynamiczna/(Częstotliwość*Pojemność))

Brama do pojemności bazowej

LaTeX Iść Brama do pojemności bazowej = Pojemność bramki-(Pojemność bramy do źródła+Brama do drenażu pojemności)

Brama do napięcia kanału

LaTeX Iść Napięcie bramki do kanału = (Opłata za kanał/Pojemność bramki)+Próg napięcia

Brama do potencjału kolekcjonerskiego

LaTeX Iść Napięcie bramki do kanału = (Brama do potencjału źródła+Brama do drenażu potencjału)/2

Zobacz więcej >>

Potencjał od drenażu do źródła Formułę

LaTeX Iść

Drenaż do potencjału źródłowego = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Współczynnik DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η

Co to jest region wyczerpania?

Kiedy dodatnie napięcie jest przesyłane przez bramkę, powoduje to wypychanie lub odpychanie wolnych otworów (ładunek dodatni) z obszaru podłoża pod bramą. Kiedy te otwory są dociskane do podłoża, pozostawiają obszar zubożenia nośnika.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!