Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału
V = VA*L
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie to różnica potencjałów elektrycznych między dwoma punktami, która jest zdefiniowana jako praca potrzebna na jednostkę ładunku do przeniesienia ładunku testowego między dwoma punktami.
Parametr urządzenia - (Mierzone w Wolt) - Parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z MOSFET. VA jest proporcjonalny do długości kanału L, którą projektant wybiera dla MOSFET.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Parametr urządzenia: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3 Mikrometr --> 3E-06 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
V = VA*L --> 4*3E-06
Ocenianie ... ...
V = 1.2E-05
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.2E-05 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.2E-05 1.2E-5 Wolt <-- Napięcie
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału
V = VA*L

Do czego służy tranzystor MOSFET?

Tranzystor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) jest urządzeniem półprzewodnikowym, które jest szeroko stosowane do celów przełączania i do wzmacniania sygnałów elektronicznych w urządzeniach elektronicznych.

Jakie są rodzaje tranzystorów MOSFET?

Istnieją dwie klasy tranzystorów MOSFET. Jest tryb wyczerpywania i tryb ulepszania. Każda klasa jest dostępna jako kanał typu n lub p, co daje łącznie cztery typy tranzystorów MOSFET. Tryb wyczerpania występuje w N lub P, a tryb wzmocnienia w N lub P.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!