Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Kalkulator

✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Częstotliwość kątowa fali odnosi się do przesunięcia kątowego w jednostce czasu. Jest to skalarna miara szybkości rotacji.ⓘ Częstotliwość kątowa [ω]			+10% -10%
✖Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Pojemność bramki źródłowej [C_sg]			+10% -10%
✖Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność bramowo-drenowa [C_gd]			+10% -10%

✖Prąd wejściowy może odnosić się do prądu elektrycznego płynącego do urządzenia lub obwodu elektrycznego. Prąd ten może być prądem przemiennym lub stałym, w zależności od urządzenia i źródła zasilania.ⓘ Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET [I_in]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Prąd wejściowy - (Mierzone w Amper) - Prąd wejściowy może odnosić się do prądu elektrycznego płynącego do urządzenia lub obwodu elektrycznego. Prąd ten może być prądem przemiennym lub stałym, w zależności od urządzenia i źródła zasilania.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Częstotliwość kątowa - (Mierzone w Radian na sekundę) - Częstotliwość kątowa fali odnosi się do przesunięcia kątowego w jednostce czasu. Jest to skalarna miara szybkości rotacji.
Pojemność bramki źródłowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).
Pojemność bramowo-drenowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Częstotliwość kątowa: 33 Radian na sekundę --> 33 Radian na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność bramki źródłowej: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramowo-drenowa: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Ocenianie ... ...

I_in = 0.00200112

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00200112 Amper -->2.00112 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.00112 Miliamper <-- Prąd wejściowy

(Obliczenie zakończone za 00.013 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Napięcie Kalkulatory

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

LaTeX Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

LaTeX Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

LaTeX Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

LaTeX Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Zobacz więcej >>

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Formułę

LaTeX Iść

Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

Do czego służy tranzystor MOSFET?

Tranzystor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) jest urządzeniem półprzewodnikowym, które jest szeroko stosowane do celów przełączania i do wzmacniania sygnałów elektronicznych w urządzeniach elektronicznych.

Jakie są rodzaje tranzystorów MOSFET?

Istnieją dwie klasy tranzystorów MOSFET. Jest tryb wyczerpywania i tryb ulepszania. Każda klasa jest dostępna jako kanał typu n lub p, co daje łącznie cztery typy tranzystorów MOSFET. Tryb wyczerpania występuje w N lub P, a tryb wzmocnienia w N lub P.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!