Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Stężenie akceptora))*(Złącze wbudowane w napięcie+Drenaż do potencjału źródłowego))
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds))
Ta formuła używa 3 Stałe, 1 Funkcje, 4 Zmienne
Używane stałe
[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Permitivity-vacuum] - Przenikalność próżni Wartość przyjęta jako 8.85E-12
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem - (Mierzone w Metr) - Głębokość zubożenia złącza Pn z drenem definiuje się jako rozszerzenie obszaru zubożenia w materiał półprzewodnikowy w pobliżu końcówki drenu.
Stężenie akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Złącze wbudowane w napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.
Drenaż do potencjału źródłowego - (Mierzone w Wolt) - Odpływ do źródła Potencjał to potencjał pomiędzy drenem a źródłem.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stężenie akceptora: 1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Złącze wbudowane w napięcie: 0.76 Wolt --> 0.76 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Drenaż do potencjału źródłowego: 1.45 Wolt --> 1.45 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))
Ocenianie ... ...
xdD = 5.34466520692296E-07
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.34466520692296E-07 Metr -->0.534466520692296 Mikrometr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.534466520692296 0.534467 Mikrometr <-- Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała
​ LaTeX ​ Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))
Współczynnik DIBL
​ LaTeX ​ Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego
Opłata za kanał
​ LaTeX ​ Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
Krytyczne napięcie
​ LaTeX ​ Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI Formułę

​LaTeX ​Iść
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Stężenie akceptora))*(Złącze wbudowane w napięcie+Drenaż do potencjału źródłowego))
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!