Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentu wygranej
Ułamek mieszany
NWW dwóch liczby
Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Produkcja VLSI
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
Optymalizacja materiałów VLSI
Konstrukcja analogowa VLSI
✖
Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
ⓘ
Stężenie akceptora [N
A
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
+10%
-10%
✖
Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.
ⓘ
Złącze wbudowane w napięcie [Ø
0
]
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Planck napięcia
Wolt
+10%
-10%
✖
Odpływ do źródła Potencjał to potencjał pomiędzy drenem a źródłem.
ⓘ
Drenaż do potencjału źródłowego [V
ds
]
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Planck napięcia
Wolt
+10%
-10%
✖
Głębokość zubożenia złącza Pn z drenem definiuje się jako rozszerzenie obszaru zubożenia w materiał półprzewodnikowy w pobliżu końcówki drenu.
ⓘ
Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI [x
dD
]
Angstrom
Jednostka astronomiczna
Centymetr
Decymetr
Promień równikowy Ziemi
Fermi
Stopa
Cal
Kilometr
Rok świetlny
Metr
Mikrocal
Mikrometr
Mikron
Mila
Milimetr
Nanometr
Picometr
Jard
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Elektronika Formułę PDF
Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Stężenie akceptora
))*(
Złącze wbudowane w napięcie
+
Drenaż do potencjału źródłowego
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
Ta formuła używa
3
Stałe
,
1
Funkcje
,
4
Zmienne
Używane stałe
[Permitivity-silicon]
- Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Przenikalność próżni Wartość przyjęta jako 8.85E-12
[Charge-e]
- Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane funkcje
sqrt
- Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem
-
(Mierzone w Metr)
- Głębokość zubożenia złącza Pn z drenem definiuje się jako rozszerzenie obszaru zubożenia w materiał półprzewodnikowy w pobliżu końcówki drenu.
Stężenie akceptora
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Złącze wbudowane w napięcie
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.
Drenaż do potencjału źródłowego
-
(Mierzone w Wolt)
- Odpływ do źródła Potencjał to potencjał pomiędzy drenem a źródłem.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stężenie akceptora:
1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Złącze wbudowane w napięcie:
0.76 Wolt --> 0.76 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Drenaż do potencjału źródłowego:
1.45 Wolt --> 1.45 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
x
dD
= sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N
A
))*(Ø
0
+V
ds
)) -->
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*1E+22))*(0.76+1.45))
Ocenianie ... ...
x
dD
= 5.34466520692296E-07
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.34466520692296E-07 Metr -->0.534466520692296 Mikrometr
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.534466520692296
≈
0.534467 Mikrometr
<--
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Produkcja VLSI
»
Optymalizacja materiałów VLSI
»
Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI
Kredyty
Stworzone przez
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering
(LDCE)
,
Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory
Współczynnik efektu ciała
LaTeX
Iść
Współczynnik efektu ciała
=
modulus
((
Próg napięcia
-
Napięcie progowe DIBL
)/(
sqrt
(
Potencjał powierzchni
+(
Różnica potencjałów ciała źródłowego
))-
sqrt
(
Potencjał powierzchni
)))
Współczynnik DIBL
LaTeX
Iść
Współczynnik DIBL
= (
Napięcie progowe DIBL
-
Próg napięcia
)/
Drenaż do potencjału źródłowego
Opłata za kanał
LaTeX
Iść
Opłata za kanał
=
Pojemność bramki
*(
Napięcie bramki do kanału
-
Próg napięcia
)
Krytyczne napięcie
LaTeX
Iść
Napięcie krytyczne
=
Krytyczne pole elektryczne
*
Pole elektryczne na długości kanału
Zobacz więcej >>
Głębokość wyczerpania złącza PN z drenażem VLSI Formułę
LaTeX
Iść
Głębokość wyczerpania złącza Pn z drenażem
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Stężenie akceptora
))*(
Złącze wbudowane w napięcie
+
Drenaż do potencjału źródłowego
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!