Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentowej zmiany
Ułamek właściwy
NWW dwóch liczby
Głębia ostrości Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Układy scalone (IC)
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
Produkcja układów scalonych MOS
Produkcja bipolarnych układów scalonych
Wyzwalacz Schmitta
✖
Współczynnik proporcjonalności to stała, która wiąże dwa kluczowe parametry: wymiar krytyczny (CD) i dawkę ekspozycji.
ⓘ
Czynnik proporcjonalności [k
2
]
+10%
-10%
✖
Długość fali w fotolitografii odnosi się do określonego zakresu promieniowania elektromagnetycznego wykorzystywanego do modelowania płytek półprzewodnikowych podczas procesu wytwarzania półprzewodników.
ⓘ
Długość fali w fotolitografii [λ
l
]
Angstrem
Centymetr
Długość fali Comptona elektronów
Kilometr
Megametr
Metr
Mikrometr
Nanometr
+10%
-10%
✖
Apertura numeryczna układu optycznego to parametr używany w optyce do opisu zdolności układu optycznego. W kontekście produkcji półprzewodników i fotolitografii.
ⓘ
Przysłona numeryczna [NA]
+10%
-10%
✖
Głębia ostrości jest krytycznym parametrem wpływającym na tolerancję na zmiany wysokości płytki półprzewodnikowej.
ⓘ
Głębia ostrości [DOF]
Angstrem
Centymetr
Długość fali Comptona elektronów
Kilometr
Megametr
Metr
Mikrometr
Nanometr
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Głębia ostrości
Formuła
DOF
=
k
2
⋅
λ
l
NA
2
Przykład
1.301331 μm
=
3
⋅
223 nm
0.717
2
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF
Głębia ostrości Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Głębia ostrości
=
Czynnik proporcjonalności
*
Długość fali w fotolitografii
/(
Przysłona numeryczna
^2)
DOF
=
k
2
*
λ
l
/(
NA
^2)
Ta formuła używa
4
Zmienne
Używane zmienne
Głębia ostrości
-
(Mierzone w Metr)
- Głębia ostrości jest krytycznym parametrem wpływającym na tolerancję na zmiany wysokości płytki półprzewodnikowej.
Czynnik proporcjonalności
- Współczynnik proporcjonalności to stała, która wiąże dwa kluczowe parametry: wymiar krytyczny (CD) i dawkę ekspozycji.
Długość fali w fotolitografii
-
(Mierzone w Metr)
- Długość fali w fotolitografii odnosi się do określonego zakresu promieniowania elektromagnetycznego wykorzystywanego do modelowania płytek półprzewodnikowych podczas procesu wytwarzania półprzewodników.
Przysłona numeryczna
- Apertura numeryczna układu optycznego to parametr używany w optyce do opisu zdolności układu optycznego. W kontekście produkcji półprzewodników i fotolitografii.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Czynnik proporcjonalności:
3 --> Nie jest wymagana konwersja
Długość fali w fotolitografii:
223 Nanometr --> 2.23E-07 Metr
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Przysłona numeryczna:
0.717 --> Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
DOF = k
2
*λ
l
/(NA^2) -->
3*2.23E-07/(0.717^2)
Ocenianie ... ...
DOF
= 1.30133109247621E-06
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.30133109247621E-06 Metr -->1.30133109247621 Mikrometr
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.30133109247621
≈
1.301331 Mikrometr
<--
Głębia ostrości
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Układy scalone (IC)
»
Produkcja układów scalonych MOS
»
Głębia ostrości
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory
Efekt ciała w MOSFET-ie
Iść
Napięcie progowe z podłożem
=
Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała
+
Parametr efektu ciała
*(
sqrt
(2*
Masowy potencjał Fermiego
+
Napięcie przyłożone do korpusu
)-
sqrt
(2*
Masowy potencjał Fermiego
))
Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia
Iść
Prąd spustowy
=
Parametr transkonduktancji
/2*(
Napięcie źródła bramki
-
Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała
)^2*(1+
Współczynnik modulacji długości kanału
*
Napięcie źródła drenu
)
Rezystancja kanału
Iść
Rezystancja kanału
=
Długość tranzystora
/
Szerokość tranzystora
*1/(
Mobilność elektronów
*
Gęstość nośnika
)
Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET
Iść
Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie
=
Transkonduktancja w MOSFET-ie
/(
Pojemność źródła bramki
+
Pojemność drenu bramki
)
Zobacz więcej >>
Głębia ostrości Formułę
Głębia ostrości
=
Czynnik proporcjonalności
*
Długość fali w fotolitografii
/(
Przysłona numeryczna
^2)
DOF
=
k
2
*
λ
l
/(
NA
^2)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!