✖Przenikalność warstwy tlenkowej definiuje się jako zdolność substancji do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym.ⓘ Przenikalność warstwy tlenkowej [εox] | | | +10% -10% |
✖Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.ⓘ Szerokość bramy [Wg] | | | +10% -10% |
✖Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.ⓘ Długość bramy [Lg] | | | +10% -10% |
✖Pojemność bramki wejściowej w CMOS odnosi się do pojemności pomiędzy zaciskami wejściowymi obwodu CMOS a potencjałem odniesienia (zwykle masą).ⓘ Pojemność bramki wejściowej [Cin] | | | +10% -10% |