Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki
Coc = Wc*Cox*Lov
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Pojemność nakładania się - (Mierzone w Farad) - Pojemność nakładania się odnosi się do pojemności, która powstaje pomiędzy dwoma obszarami przewodzącymi znajdującymi się blisko siebie, ale nie połączonymi bezpośrednio.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.
Długość zakładki - (Mierzone w Metr) - Długość zakładki to średnia odległość, jaką mogą pokonać nadmiarowe nośniki, zanim ponownie się połączą.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Szerokość kanału: 10 Mikrometr --> 1E-05 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Pojemność tlenkowa: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Długość zakładki: 40.6 Mikrometr --> 4.06E-05 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Coc = Wc*Cox*Lov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05
Ocenianie ... ...
Coc = 3.8164E-13
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Mikrofarad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
3.8164E-07 3.8E-7 Mikrofarad <-- Pojemność nakładania się
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Anshika Arya
Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur
Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Częstotliwość przejścia MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału
Pokrywająca się pojemność MOSFET-u
​ LaTeX ​ Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Formułę

​LaTeX ​Iść
Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki
Coc = Wc*Cox*Lov

Jak działa MOSFET jako kondensator?

Mówiąc najprościej, SPUST i ŹRÓDŁO MOSFETU działają jak płytki przewodzące w kondensatorze z powodu izolowanej bramki. Tranzystory MOSFET zachowują się jak urządzenia elektroprzewodzące, co jest odpowiednikiem pojemności sterowanej napięciem.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!