Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału
Rout = VA/ID'
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do odporności obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy obciążenie jest podłączone do jego wyjścia.
Parametr urządzenia - (Mierzone w Wolt) - Parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z MOSFET. VA jest proporcjonalny do długości kanału L, którą projektant wybiera dla MOSFET.
Prąd spustowy bez modulacji długości kanału - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu bez modulacji długości kanału oznacza, że prąd drenu w obszarze nasycenia nieznacznie wzrośnie wraz ze wzrostem napięcia dren-źródło.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Parametr urządzenia: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy bez modulacji długości kanału: 3.2 Miliamper --> 0.0032 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Ocenianie ... ...
Rout = 1250
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1250 Om -->1.25 Kilohm (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.25 Kilohm <-- Rezystancja wyjściowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu Formułę

​LaTeX ​Iść
Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału
Rout = VA/ID'

Co to jest MOSFET i jak to działa?

Ogólnie rzecz biorąc, MOSFET działa jako przełącznik, MOSFET kontroluje napięcie i przepływ prądu między źródłem a drenem. Działanie MOSFET-u zależy od kondensatora MOS, który jest powierzchnią półprzewodnika pod warstwami tlenku między źródłem a zaciskiem drenu.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!