Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Kalkulator

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Skończona rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%
✖Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.ⓘ Rezystancja emitera [R_e]			+10% -10%
✖Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.ⓘ Mały opór wejściowy sygnału [R_sm]			+10% -10%

✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem [R_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
Mały opór wejściowy sygnału - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Skończona rezystancja wyjściowa: 0.35 Kilohm --> 350 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Mały opór wejściowy sygnału: 1.45 Kilohm --> 1450 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm) --> 350+(0.01977*350)*(1/67+1/1450)

Ocenianie ... ...

R_d = 350.108048188369

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

350.108048188369 Om -->0.350108048188368 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.350108048188368 ≈ 0.350108 Kilohm <-- Odporność na drenaż

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz wspólnego emitera » Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< Wzmacniacz wspólnego emitera Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

LaTeX Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)

Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Zobacz więcej >>

< Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Zobacz więcej >>

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Formułę

LaTeX Iść

Co to jest wzmacniacz CE ze zdegenerowanym emiterem?

Degradacja emitera odnosi się do dodania małego rezystora (R4) między emiterem a wspólnym źródłem sygnału. W tym obwodzie zacisk bazowy tranzystora jest wejściem, kolektor jest wyjściem, a emiter jest wspólny dla obu. To wzmacniacz napięciowy z odwróconym wyjściem.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!