Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Kalkulator

✖Wczesne napięcie jest całkowicie zależne od technologii procesu i ma wymiary woltów na mikron. Typowo V; mieści się w zakresie od 5 V/μm do 50 V/μm.ⓘ Wczesne napięcie [V_a']			+10% -10%
✖Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.ⓘ Prąd kolektora [i_c]			+10% -10%

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym [R_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
R_out = V_a'/i_c
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Wczesne napięcie - (Mierzone w Wolt na metr) - Wczesne napięcie jest całkowicie zależne od technologii procesu i ma wymiary woltów na mikron. Typowo V; mieści się w zakresie od 5 V/μm do 50 V/μm.
Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Wczesne napięcie: 13.85 Wolt na metr --> 13.85 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja
Prąd kolektora: 39.52 Miliamper --> 0.03952 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_out = V_a'/i_c --> 13.85/0.03952

Ocenianie ... ...

R_out = 350.455465587045

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

350.455465587045 Om -->0.350455465587045 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.350455465587045 ≈ 0.350455 Kilohm <-- Skończona rezystancja wyjściowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Naśladowca emitera » Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Naśladowca emitera Kalkulatory

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera

LaTeX Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

LaTeX Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Prąd nasycenia wtórnika emitera

LaTeX Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Rezystancja wejściowa wtórnika emitera

LaTeX Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)

Zobacz więcej >>

< Wielostopniowe wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia w bipolarnym kaskodzie w obwodzie otwartym

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia bipolarnego Cascode = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Transkonduktancja wtórna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Rezystancja drenażu wzmacniacza Cascode

LaTeX Iść Odporność na drenaż = (Wzmocnienie napięcia wyjściowego/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa))

Wzmocnienie napięcia wyjściowego wzmacniacza kaskadowego MOS

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia wyjściowego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż

Równoważna rezystancja wzmacniacza Cascode

LaTeX Iść Opór pomiędzy drenem a ziemią = (1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Rezystancja wejściowa)^-1

Zobacz więcej >>

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Formułę

LaTeX Iść

Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
R_out = V_a'/i_c

Co to jest wewnętrzny zysk?

Wzmocnienie wewnętrzne wzoru BJT jest definiowane jako maksymalne możliwe wzmocnienie napięcia typowego tranzystora, niezależnie od punktu polaryzacji. to znaczy więcej, czyli maksymalne wzmocnienie wzmacniacza CE (Common Emitter) poprzez wyeliminowanie I.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!