Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Kalkulator

✖Opór uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym MOSFET-u jest oporem wobec przepływającego przez niego prądu. Zależy to od konkretnej konstrukcji MOSFET i warunków pracy.ⓘ Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym [R₂]			+10% -10%
✖Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.ⓘ Skończony opór [R_fi]			+10% -10%
✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%

✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego [R_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym
R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym - (Mierzone w Om) - Opór uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym MOSFET-u jest oporem wobec przepływającego przez niego prądu. Zależy to od konkretnej konstrukcji MOSFET i warunków pracy.
Skończony opór - (Mierzone w Om) - Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym: 0.064 Kilohm --> 64 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Skończony opór: 0.065 Kilohm --> 65 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂ --> 64+2*65+2*65*0.01977*64

Ocenianie ... ...

R_d = 358.4864

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

358.4864 Om -->0.3584864 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.3584864 ≈ 0.358486 Kilohm <-- Odporność na drenaż

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wspólny wzmacniacz źródłowy » Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< Wspólny wzmacniacz źródłowy Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

LaTeX Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Zobacz więcej >>

< Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

LaTeX Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Zobacz więcej >>

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Formułę

LaTeX Iść

Co to jest kontrolowane źródło prądu?

Z drugiej strony, kontrolowane lub zależne źródło prądu zmienia swój dostępny prąd w zależności od napięcia w poprzek lub prądu przepływającego przez jakiś inny element podłączony do obwodu. Źródło prądu, które zależy od wejścia prądowego, jest ogólnie określane jako źródło prądu sterowanego prądem lub CCCS.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Dutch

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!