✖Pojemność bramki do źródła definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a źródłem złącza MOSFET.ⓘ Pojemność bramy do źródła [Cgs] | | | +10% -10% |
✖Rezystancja sygnału to rezystancja dostarczana ze źródła napięcia sygnału do wzmacniacza.ⓘ Rezystancja sygnału [Rsig] | | | +10% -10% |
✖Transkonduktancja to stosunek zmiany prądu na zacisku wyjściowym do zmiany napięcia na zacisku wejściowym aktywnego urządzenia.ⓘ Transkonduktancja [gm] | | | +10% -10% |
✖Pojemność to stosunek ilości ładunku elektrycznego zgromadzonego w przewodniku do różnicy potencjałów elektrycznych.ⓘ Pojemność [Ct] | | | +10% -10% |
✖Pojemność bramki do drenażu definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a drenem złącza MOSFET.ⓘ Brama do drenażu pojemności [Cgd] | | | +10% -10% |
✖Rezystancja obciążenia to skumulowany opór obwodu, widziany na podstawie napięcia, prądu lub źródła zasilania napędzającego ten obwód.ⓘ Odporność na obciążenie [RL] | | | +10% -10% |