Prąd drenu obszaru omowego FET Kalkulator

✖Przewodność kanału FET jest miarą tego, jak dobrze kanał FET przewodzi prąd. Decyduje o tym ruchliwość nośników ładunku w kanale.ⓘ Przewodność kanału FET [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenu FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.ⓘ Potencjał powierzchniowy FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖Napięcie Pinch OFF to napięcie, przy którym kanał tranzystora polowego (FET) staje się tak wąski, że skutecznie się zamyka, uniemożliwiając dalszy przepływ prądu.ⓘ Wyłącz napięcie [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Prąd drenu FET to prąd przepływający przez złącze drenu FET.ⓘ Prąd drenu obszaru omowego FET [I_d(fet)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zaawansowane urządzenia tranzystorowe Formuły PDF PDF Image

Prąd drenu obszaru omowego FET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pobór prądu FET = Przewodność kanału FET*(Napięcie źródła drenu FET+3/2*((Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET-Napięcie źródła drenu FET)^(3/2)-(Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET)^(3/2))/((Potencjał powierzchniowy FET+Wyłącz napięcie)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Pobór prądu FET - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu FET to prąd przepływający przez złącze drenu FET.
Przewodność kanału FET - (Mierzone w Siemens) - Przewodność kanału FET jest miarą tego, jak dobrze kanał FET przewodzi prąd. Decyduje o tym ruchliwość nośników ładunku w kanale.
Napięcie źródła drenu FET - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.
Potencjał powierzchniowy FET - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.
Wyłącz napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie Pinch OFF to napięcie, przy którym kanał tranzystora polowego (FET) staje się tak wąski, że skutecznie się zamyka, uniemożliwiając dalszy przepływ prądu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Przewodność kanału FET: 0.24 Millisiemens --> 0.00024 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie źródła drenu FET: 4.8 Wolt --> 4.8 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Potencjał powierzchniowy FET: 4.976 Wolt --> 4.976 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Wyłącz napięcie: 63.56 Wolt --> 63.56 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Ocenianie ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000305501451597179 Amper -->0.305501451597179 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Miliamper <-- Pobór prądu FET

(Obliczenie zakończone za 00.197 sekund)

Jesteś tutaj -