Pojemność poza ścieżką CMOS Kalkulator

✖Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.ⓘ Ścieżka pojemnościowa [C_onpath]			+10% -10%
✖Prąd wysiłkowy rozgałęziający jest kierowany wzdłuż analizowanej ścieżki, a część jest kierowana poza tę ścieżkę.ⓘ Wysiłek rozgałęziający [b]			+10% -10%

✖Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.ⓘ Pojemność poza ścieżką CMOS [C_offpath]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka projektu CMOS Formuły PDF PDF Image

Pojemność poza ścieżką CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Offpath pojemności = Ścieżka pojemnościowa*(Wysiłek rozgałęziający-1)
C_offpath = C_onpath*(b-1)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Offpath pojemności - (Mierzone w Farad) - Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.
Ścieżka pojemnościowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.
Wysiłek rozgałęziający - Prąd wysiłkowy rozgałęziający jest kierowany wzdłuż analizowanej ścieżki, a część jest kierowana poza tę ścieżkę.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ścieżka pojemnościowa: 3.2 Picofarad --> 3.2E-12 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Wysiłek rozgałęziający: 3.81 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_offpath = C_onpath*(b-1) --> 3.2E-12*(3.81-1)

Ocenianie ... ...

C_offpath = 8.992E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

8.992E-12 Farad -->8.992 Picofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

8.992 Picofarad <-- Offpath pojemności

(Obliczenie zakończone za 00.005 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka projektu CMOS » Pojemność poza ścieżką CMOS

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka projektu CMOS Kalkulatory

Wbudowany potencjał

LaTeX Iść Wbudowany potencjał = Napięcie termiczne*ln((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Wewnętrzne stężenie elektronów^2))

Pojemność Onpath

LaTeX Iść Ścieżka pojemnościowa = Całkowita pojemność na etapie-Offpath pojemności

Zmiana zegara częstotliwości

LaTeX Iść Zmiana częstotliwości zegara = Zysk VCO*Napięcie sterujące VCO

Prąd statyczny

LaTeX Iść Prąd statyczny = Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora

Zobacz więcej >>

Pojemność poza ścieżką CMOS Formułę

LaTeX Iść

Offpath pojemności = Ścieżka pojemnościowa*(Wysiłek rozgałęziający-1)
C_offpath = C_onpath*(b-1)

Co to jest Drive of Arbitral Gate?

Napęd arbitralnej bramki reprezentuje siłę napędu zapewnianą przez dowolną bramkę podczas napędzania rozważanej bramki. Zwykle wyraża się to liczbą równoważnych wejść bramki odniesienia (często falownika). To wielkość bezwymiarowa.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!