✖Maksymalne napięcie wyjściowe to najwyższy poziom napięcia, jaki urządzenie lub obwód może wytworzyć na zacisku wyjściowym w określonych warunkach pracy, nie przekraczając określonych limitów.ⓘ Maksymalne napięcie wyjściowe [V_OH]			+10% -10%
✖Minimalne napięcie wejściowe to najniższy poziom napięcia, jaki można przyłożyć do zacisku wejściowego urządzenia lub obwodu, zapewniając jednocześnie prawidłowe działanie i spełniając określone kryteria wydajności.ⓘ Minimalne napięcie wejściowe [V_IH]			+10% -10%

✖Margines szumu dla sygnału wysokiego to różnica napięcia pomiędzy minimalnym wysokim poziomem napięcia wejściowego a maksymalnym wysokim poziomem napięcia wyjściowego, zapewniająca niezawodne poziomy logiczne w obwodach cyfrowych.ⓘ Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale [N_MH]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Formuła

`"N"_{"MH"} = "V"_{"OH"}-"V"_{"IH"}`

Przykład

`"1.8V"="3.35V"-"1.55V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Falowniki CMOS Formuły PDF PDF Image

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe
N_MH = V_OH-V_IH
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Margines szumu dla wysokiego sygnału - (Mierzone w Wolt) - Margines szumu dla sygnału wysokiego to różnica napięcia pomiędzy minimalnym wysokim poziomem napięcia wejściowego a maksymalnym wysokim poziomem napięcia wyjściowego, zapewniająca niezawodne poziomy logiczne w obwodach cyfrowych.
Maksymalne napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Maksymalne napięcie wyjściowe to najwyższy poziom napięcia, jaki urządzenie lub obwód może wytworzyć na zacisku wyjściowym w określonych warunkach pracy, nie przekraczając określonych limitów.
Minimalne napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Minimalne napięcie wejściowe to najniższy poziom napięcia, jaki można przyłożyć do zacisku wejściowego urządzenia lub obwodu, zapewniając jednocześnie prawidłowe działanie i spełniając określone kryteria wydajności.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Maksymalne napięcie wyjściowe: 3.35 Wolt --> 3.35 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Minimalne napięcie wejściowe: 1.55 Wolt --> 1.55 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

N_MH = V_OH-V_IH --> 3.35-1.55

Ocenianie ... ...

N_MH = 1.8

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.8 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.8 Wolt <-- Margines szumu dla wysokiego sygnału

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Falowniki CMOS » Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 16 Falowniki CMOS Kalkulatory

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową

Iść Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia falownika CMOS/(Transprzewodnictwo PMOS*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))))*(((2*abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała)))+ln((4*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/Napięcie zasilania)-1))

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-sqrt((Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))^2-(2*Napięcie zasilania/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z wysokiego na niski poziom wyjściowy

Iść Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia falownika CMOS/(Transkonduktancja NMOS*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)))*((2*Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała/(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała))+ln((4*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)/Napięcie zasilania)-1))

Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))

Maksymalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Napięcie progowe CMOS

Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))

Minimalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Pojemność obciążenia kaskadowego falownika CMOS

Iść Pojemność obciążenia falownika CMOS = Pojemność drenu bramki PMOS+Pojemność drenu bramki NMOS+Pojemność zbiorcza PMOS+Pojemność zbiorcza NMOS+Pojemność wewnętrzna falownika CMOS+Pojemność bramki CMOS falownika

Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS = Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))

Średnie opóźnienie propagacji CMOS

Iść Średnie opóźnienie propagacji = (Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy+Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy)/2

Średnie rozproszenie mocy CMOS

Iść Średnie rozproszenie mocy = Pojemność obciążenia falownika CMOS*(Napięcie zasilania)^2*Częstotliwość

Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Minimalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (5*Napięcie zasilania-2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe

Oscylator pierścieniowy z okresem oscylacji CMOS

Iść Okres oscylacji = 2*Liczba stopni oscylatora pierścieniowego*Średnie opóźnienie propagacji

Współczynnik transkonduktancji CMOS

Iść Współczynnik transkonduktancji = Transkonduktancja NMOS/Transprzewodnictwo PMOS

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale Formułę

Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe
N_MH = V_OH-V_IH

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!