✖Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.ⓘ Długość kanału [L] | | | +10% -10% |
✖Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przewodzenia w warstwie powierzchniowej materiału pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału [μn] | | | +10% -10% |
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [Cox] | | | +10% -10% |
✖Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.ⓘ Szerokość kanału [Wc] | | | +10% -10% |
✖Napięcie źródła bramki to napięcie, które spada na końcówkę bramki-źródło tranzystora.ⓘ Napięcie źródła bramki [Vgs] | | | +10% -10% |
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [VT] | | | +10% -10% |