Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Błędu procentowego
Odejmij ułamek
NWW trzy liczby
Częstotliwość odcięcia MESFET Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Teoria mikrofalowa
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe
Rurki i obwody mikrofalowe
Urządzenia mikrofalowe
⤿
Wzmacniacze tranzystorowe
Charakterystyka MESFET-u
Obwody nieliniowe
Urządzenia mikrofalowe BJT
Urządzenia parametryczne
✖
Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.
ⓘ
Transkonduktancja MESFET-u [G
m
]
Abmho
Amper/Wolt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosimy
Picosiemens
Skwantowane Hall Przewodnictwo
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
ⓘ
Pojemność źródła bramki [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Kulomb/Wolt
Dekafarad
Decyfarad
EMU od pojemności
ESU o pojemności
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
Częstotliwość odcięcia MESFET reprezentuje częstotliwość, przy której wzmocnienie prądowe (lub transkonduktancja) tranzystora zaczyna znacząco spadać.
ⓘ
Częstotliwość odcięcia MESFET [f
co
]
Attohertz
Bity / minuta
Centihertz
Cykl/Sekunda
Decahertz
Decihertz
Exaherc
Femtoherc
Frames za Sekunda
Gigaherc
Hektoherc
Herc
Kiloherc
Megaherc
Mikroherc
Millihertz
Nanoherc
Petaherc
Picoherc
Rewolucja dziennie
Rewolucja na godzinę
Obrotów na minutę
Rewolucja na sekundę
Teraherc
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Częstotliwość odcięcia MESFET
Formuła
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Przykład
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF
Częstotliwość odcięcia MESFET Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Częstotliwość odcięcia MESFET
=
Transkonduktancja MESFET-u
/(2*
pi
*
Pojemność źródła bramki
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Ta formuła używa
1
Stałe
,
3
Zmienne
Używane stałe
pi
- Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Częstotliwość odcięcia MESFET
-
(Mierzone w Herc)
- Częstotliwość odcięcia MESFET reprezentuje częstotliwość, przy której wzmocnienie prądowe (lub transkonduktancja) tranzystora zaczyna znacząco spadać.
Transkonduktancja MESFET-u
-
(Mierzone w Siemens)
- Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.
Pojemność źródła bramki
-
(Mierzone w Farad)
- Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Transkonduktancja MESFET-u:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Pojemność źródła bramki:
56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Ocenianie ... ...
f
co
= 179.253938762358
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
179.253938762358 Herc --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
179.253938762358
≈
179.2539 Herc
<--
Częstotliwość odcięcia MESFET
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Teoria mikrofalowa
»
Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe
»
Wzmacniacze tranzystorowe
»
Częstotliwość odcięcia MESFET
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego
(UDERZENIE)
,
Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
10+ Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory
Zysk mocy konwertera obniżającego, biorąc pod uwagę współczynnik degradacji
Iść
Wzmocnienie mocy konwertera obniżającego
=
Częstotliwość sygnału
/
Częstotliwość wyjściowa
*(
Częstotliwość sygnału
/
Częstotliwość wyjściowa
*(
Figura Zasługi
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Częstotliwość sygnału
/
Częstotliwość wyjściowa
*(
Figura Zasługi
)^2)))^2
Uzyskaj współczynnik degradacji dla MESFET
Iść
Zyskaj współczynnik degradacji
=
Częstotliwość wyjściowa
/
Częstotliwość sygnału
*(
Częstotliwość sygnału
/
Częstotliwość wyjściowa
*(
Figura Zasługi
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Częstotliwość sygnału
/
Częstotliwość wyjściowa
*(
Figura Zasługi
)^2)))^2
Współczynnik szumu GaAs MESFET
Iść
Współczynnik hałasu
= 1+2*
Częstotliwość kątowa
*
Pojemność źródła bramki
/
Transkonduktancja MESFET-u
*
sqrt
((
Opór źródła
-
Opór bramy
)/
Rezystancja wejściowa
)
Maksymalna częstotliwość robocza
Iść
Maksymalna częstotliwość robocza
=
Częstotliwość odcięcia MESFET
/2*
sqrt
(
Odporność na drenaż
/(
Opór źródła
+
Rezystancja wejściowa
+
Odporność na metalizację bramy
))
Maksymalna dopuszczalna moc
Iść
Maksymalna dopuszczalna moc
= 1/(
Reaktancja
*
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu
^2)*(
Maksymalne pole elektryczne
*
Maksymalna prędkość dryfu nasycenia
/(2*
pi
))^2
Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego
Iść
Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego
= (
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu
/
Częstotliwość wzmocnienia mocy
)^2*
Impedancja wyjściowa
/
Impedancja wejściowa
Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET
Iść
Transkonduktancja MESFET-u
=
Przewodność wyjściowa
*(1-
sqrt
((
Napięcie wejściowe
-
Próg napięcia
)/
Napięcie odcięcia
))
Częstotliwość odcięcia MESFET
Iść
Częstotliwość odcięcia MESFET
=
Transkonduktancja MESFET-u
/(2*
pi
*
Pojemność źródła bramki
)
Kąt przejścia
Iść
Kąt przejścia
=
Częstotliwość kątowa
*
Długość przestrzeni dryfu
/
Prędkość dryfu przewoźnika
Maksymalna częstotliwość oscylacji
Iść
Maksymalna częstotliwość oscylacji
=
Prędkość nasycenia
/(2*
pi
*
Długość kanału
)
Częstotliwość odcięcia MESFET Formułę
Częstotliwość odcięcia MESFET
=
Transkonduktancja MESFET-u
/(2*
pi
*
Pojemność źródła bramki
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!