Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)
ft = gm/(Cgs+Cgd)
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie napięcia urządzenia spada do 1 (0 dB) w konfiguracji wspólnego źródła z obciążeniem rezystancyjnym.
Transkonduktancja w MOSFET-ie - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.
Pojemność źródła bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
Pojemność drenu bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność drenu bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami drenu urządzenia.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Transkonduktancja w MOSFET-ie: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Pojemność źródła bramki: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Pojemność drenu bramki: 2.8 Mikrofarad --> 2.8E-06 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
ft = gm/(Cgs+Cgd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Ocenianie ... ...
ft = 37414.9659863946
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
37414.9659863946 Herc -->37.4149659863946 Kiloherc (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
37.4149659863946 37.41497 Kiloherc <-- Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie
​ LaTeX ​ Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))
Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)
Rezystancja kanału
​ LaTeX ​ Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Formułę

​LaTeX ​Iść
Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)
ft = gm/(Cgs+Cgd)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!