Kalkulator NWW

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.ⓘ Transkonduktancja w MOSFET-ie [g_m]			+10% -10%
✖Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność źródła bramki [C_gs]			+10% -10%
✖Pojemność drenu bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami drenu urządzenia.ⓘ Pojemność drenu bramki [C_gd]			+10% -10%

✖Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie napięcia urządzenia spada do 1 (0 dB) w konfiguracji wspólnego źródła z obciążeniem rezystancyjnym.ⓘ Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET [f_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Formuła

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Przykład

37.41497 kHz = \frac{2.2 S}{56 μF + 2.8 μF}

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie napięcia urządzenia spada do 1 (0 dB) w konfiguracji wspólnego źródła z obciążeniem rezystancyjnym.
Transkonduktancja w MOSFET-ie - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.
Pojemność źródła bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
Pojemność drenu bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność drenu bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami drenu urządzenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja w MOSFET-ie: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Pojemność źródła bramki: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność drenu bramki: 2.8 Mikrofarad --> 2.8E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Ocenianie ... ...

f_t = 37414.9659863946

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37414.9659863946 Herc -->37.4149659863946 Kiloherc (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kiloherc <-- Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>