Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej Kalkulator

Transkonduktancja w MOSFET-ie = sqrt(2*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*(Szerokość tranzystora/Długość tranzystora)*Prąd spustowy)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)Transkonduktancja w MOSFET-ie - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy zaciskami drenu i źródła tranzystora podczas jego pracy.

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)