Transkonduktancja MOSFET Kalkulator

✖Zmiana prądu drenu wskazuje na zmianę zdolności przewodzenia prądu przez chip krzemowy; może służyć jako przewodnik przy porównywaniu różnych urządzeń.ⓘ Zmiana prądu drenu [ΔI_d]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja MOSFET [g_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Transkonduktancja MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja = Zmiana prądu drenu/Napięcie bramka-źródło
g_m = ΔI_d/V_gs
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Zmiana prądu drenu - (Mierzone w Amper) - Zmiana prądu drenu wskazuje na zmianę zdolności przewodzenia prądu przez chip krzemowy; może służyć jako przewodnik przy porównywaniu różnych urządzeń.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Zmiana prądu drenu: 2 Miliamper --> 0.002 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Ocenianie ... ...

g_m = 0.0005

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.5 Millisiemens <-- Transkonduktancja

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » Transkonduktancja MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< Transkonduktancja Kalkulatory

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

LaTeX Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja przy podanym prądzie drenu

LaTeX Iść Transkonduktancja = sqrt(2*Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

LaTeX Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania

Prąd spustowy za pomocą transkonduktancji

LaTeX Iść Prąd spustowy = (Napięcie przesterowania)*Transkonduktancja/2

Zobacz więcej >>

Transkonduktancja MOSFET Formułę

LaTeX Iść

Transkonduktancja = Zmiana prądu drenu/Napięcie bramka-źródło
g_m = ΔI_d/V_gs

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!