✖Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Długość kanału [L] | | | +10% -10% |
✖Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przemieszczania się po powierzchni materiału półprzewodnikowego, takiego jak kanał krzemowy w tranzystorze.ⓘ Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału [μs] | | | +10% -10% |
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [Cox] | | | +10% -10% |
✖Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).ⓘ Szerokość kanału [Wc] | | | +10% -10% |
✖Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.ⓘ Efektywne napięcie [Veff] | | | +10% -10% |