Mobilność w Mosfecie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki
μeff = Kp/Cox
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Mobilność w MOSFET-ie - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność MOSFET-u definiuje się na podstawie zdolności elektronu do szybkiego przemieszczania się przez metal lub półprzewodnik, gdy jest przyciągany przez pole elektryczne.
K. Premier - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - K Prime jest stałą szybkości odwrotnej reakcji.
Pojemność warstwy tlenku bramki - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
K. Premier: 4.502 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę --> 0.0004502 Metr kwadratowy na wolt na sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Pojemność warstwy tlenku bramki: 29.83 Mikrofarad na milimetr kwadratowy --> 29.83 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Ocenianie ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.50921890714046E-05 Metr kwadratowy na wolt na sekundę -->0.150921890714046 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.150921890714046 0.150922 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę <-- Mobilność w MOSFET-ie
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała
​ Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))
Współczynnik DIBL
​ Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego
Opłata za kanał
​ Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
Krytyczne napięcie
​ Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Mobilność w Mosfecie Formułę

Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki
μeff = Kp/Cox

Jak mobilność wpływa na działanie CMOS?

Mobilność w CMOS odnosi się do ruchu nośników ładunku (elektronów i dziur) w kanałach tranzystora. Wpływa to na wzmocnienie prądowe i zapasy tranzystora, a tym samym na ogólną pracę obwodu CMOS. Mobilność określa prędkość przełączania i odpowiednie napięcie bramki tranzystora CMOS.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!