Kalkulator NWD

Mobilność w Mosfecie Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI Konstrukcja analogowa VLSI

✖K Prime jest stałą szybkości odwrotnej reakcji.ⓘ K. Premier [K_p]			+10% -10%
✖Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność warstwy tlenku bramki [C_ox]			+10% -10%

✖Mobilność MOSFET-u definiuje się na podstawie zdolności elektronu do szybkiego przemieszczania się przez metal lub półprzewodnik, gdy jest przyciągany przez pole elektryczne.ⓘ Mobilność w Mosfecie [μ_eff]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Mobilność w Mosfecie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki
μ_eff = K_p/C_ox
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Mobilność w MOSFET-ie - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność MOSFET-u definiuje się na podstawie zdolności elektronu do szybkiego przemieszczania się przez metal lub półprzewodnik, gdy jest przyciągany przez pole elektryczne.
K. Premier - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - K Prime jest stałą szybkości odwrotnej reakcji.
Pojemność warstwy tlenku bramki - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

K. Premier: 4.502 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę --> 0.0004502 Metr kwadratowy na wolt na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność warstwy tlenku bramki: 29.83 Mikrofarad na milimetr kwadratowy --> 29.83 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

μ_eff = K_p/C_ox --> 0.0004502/29.83

Ocenianie ... ...

μ_eff = 1.50921890714046E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.50921890714046E-05 Metr kwadratowy na wolt na sekundę -->0.150921890714046 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.150921890714046 ≈ 0.150922 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę <-- Mobilność w MOSFET-ie

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Mobilność w Mosfecie

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała

LaTeX Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Współczynnik DIBL

LaTeX Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Opłata za kanał

LaTeX Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Krytyczne napięcie

LaTeX Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Zobacz więcej >>

Mobilność w Mosfecie Formułę

LaTeX Iść

Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki
μ_eff = K_p/C_ox

Jak mobilność wpływa na działanie CMOS?

Mobilność w CMOS odnosi się do ruchu nośników ładunku (elektronów i dziur) w kanałach tranzystora. Wpływa to na wzmocnienie prądowe i zapasy tranzystora, a tym samym na ogólną pracę obwodu CMOS. Mobilność określa prędkość przełączania i odpowiednie napięcie bramki tranzystora CMOS.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!