Minimalne napięcie wejściowe CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)
VIH = (VDD+(VT0,p)+Kr*(2*Vout+VT0,n))/(1+Kr)
Ta formuła używa 6 Zmienne
Używane zmienne
Minimalne napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Minimalne napięcie wejściowe to najniższy poziom napięcia, jaki można przyłożyć do zacisku wejściowego urządzenia lub obwodu, zapewniając jednocześnie prawidłowe działanie i spełniając określone kryteria wydajności.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego przez źródło zasilania do obwodu elektrycznego lub urządzenia, służącego jako różnica potencjałów dla przepływu prądu i działania.
Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe PMOS bez polaryzacji ciała CMOS definiuje się jako napięcie progowe PMOS, gdy zacisk podłoża jest pod napięciem masy (0).
Współczynnik transkonduktancji - Współczynnik transkonduktancji to stosunek transkonduktancji jednego urządzenia (np. tranzystora) do innego, często używany do porównywania lub charakteryzowania ich wydajności lub zachowania w obwodach.
Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe odnosi się do różnicy potencjałów elektrycznych lub poziomu wytwarzanego przez urządzenie lub obwód na zacisku wyjściowym, odzwierciedlającego sygnał lub moc dostarczaną przez system.
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe NMOS bez polaryzacji ciała to minimalne napięcie wejściowe wymagane do przełączenia tranzystora NMOS, gdy do podłoża (korpusu) nie jest przyłożone żadne dodatkowe napięcie polaryzacji.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie zasilania: 3.3 Wolt --> 3.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała: -0.7 Wolt --> -0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik transkonduktancji: 2.5 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wyjściowe: 0.27 Wolt --> 0.27 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała: 0.6 Wolt --> 0.6 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
VIH = (VDD+(VT0,p)+Kr*(2*Vout+VT0,n))/(1+Kr) --> (3.3+((-0.7))+2.5*(2*0.27+0.6))/(1+2.5)
Ocenianie ... ...
VIH = 1.55714285714286
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.55714285714286 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.55714285714286 1.557143 Wolt <-- Minimalne napięcie wejściowe
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

16 Falowniki CMOS Kalkulatory

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową
​ Iść Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia falownika CMOS/(Transprzewodnictwo PMOS*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))))*(((2*abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała)))+ln((4*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/Napięcie zasilania)-1))
Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-sqrt((Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))^2-(2*Napięcie zasilania/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))
Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z wysokiego na niski poziom wyjściowy
​ Iść Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia falownika CMOS/(Transkonduktancja NMOS*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)))*((2*Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała/(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała))+ln((4*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)/Napięcie zasilania)-1))
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
Maksymalne napięcie wejściowe CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)
Napięcie progowe CMOS
​ Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))
Minimalne napięcie wejściowe CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)
Pojemność obciążenia kaskadowego falownika CMOS
​ Iść Pojemność obciążenia falownika CMOS = Pojemność drenu bramki PMOS+Pojemność drenu bramki NMOS+Pojemność zbiorcza PMOS+Pojemność zbiorcza NMOS+Pojemność wewnętrzna falownika CMOS+Pojemność bramki CMOS falownika
Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS = Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
Średnie opóźnienie propagacji CMOS
​ Iść Średnie opóźnienie propagacji = (Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy+Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy)/2
Średnie rozproszenie mocy CMOS
​ Iść Średnie rozproszenie mocy = Pojemność obciążenia falownika CMOS*(Napięcie zasilania)^2*Częstotliwość
Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8
Minimalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe symetryczne CMOS = (5*Napięcie zasilania-2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8
Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale
​ Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe
Oscylator pierścieniowy z okresem oscylacji CMOS
​ Iść Okres oscylacji = 2*Liczba stopni oscylatora pierścieniowego*Średnie opóźnienie propagacji
Współczynnik transkonduktancji CMOS
​ Iść Współczynnik transkonduktancji = Transkonduktancja NMOS/Transprzewodnictwo PMOS

Minimalne napięcie wejściowe CMOS Formułę

Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)
VIH = (VDD+(VT0,p)+Kr*(2*Vout+VT0,n))/(1+Kr)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!