Maksymalna dopuszczalna moc Kalkulator

✖Reaktancja opisuje opór, jaki element (taki jak kondensator lub cewka indukcyjna) przedstawia przepływowi prądu przemiennego (AC).ⓘ Reaktancja [Χ_c]			+10% -10%
✖Częstotliwość graniczna czasu przejścia jest powiązana z czasem potrzebnym nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na przejście przez urządzenie.ⓘ Częstotliwość graniczna czasu tranzytu [f_TC]			+10% -10%
✖Maksymalne pole elektryczne pole wektorowe opisujące siłę, jakiej doświadcza naładowana cząstka w dowolnym punkcie przestrzeni.ⓘ Maksymalne pole elektryczne [E_m]			+10% -10%
✖Maksymalna prędkość dryfu nasycenia odnosi się do największej osiągalnej prędkości dryfu nośników ładunku w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego, osiągającej nasycenie.ⓘ Maksymalna prędkość dryfu nasycenia [V_s]			+10% -10%

✖Maksymalna dopuszczalna moc maksymalna ilość mocy, jaką może obsłużyć system lub komponent bez przekraczania ograniczeń projektowych i ryzyka uszkodzenia.ⓘ Maksymalna dopuszczalna moc [P_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Maksymalna dopuszczalna moc Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2
P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Maksymalna dopuszczalna moc - (Mierzone w Wat) - Maksymalna dopuszczalna moc maksymalna ilość mocy, jaką może obsłużyć system lub komponent bez przekraczania ograniczeń projektowych i ryzyka uszkodzenia.
Reaktancja - (Mierzone w Om) - Reaktancja opisuje opór, jaki element (taki jak kondensator lub cewka indukcyjna) przedstawia przepływowi prądu przemiennego (AC).
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość graniczna czasu przejścia jest powiązana z czasem potrzebnym nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na przejście przez urządzenie.
Maksymalne pole elektryczne - (Mierzone w Wolt na metr) - Maksymalne pole elektryczne pole wektorowe opisujące siłę, jakiej doświadcza naładowana cząstka w dowolnym punkcie przestrzeni.
Maksymalna prędkość dryfu nasycenia - (Mierzone w Metr na sekundę) - Maksymalna prędkość dryfu nasycenia odnosi się do największej osiągalnej prędkości dryfu nośników ładunku w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego, osiągającej nasycenie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Reaktancja: 0.0056 Om --> 0.0056 Om Nie jest wymagana konwersja
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu: 2.08 Herc --> 2.08 Herc Nie jest wymagana konwersja
Maksymalne pole elektryczne: 24 Wolt na metr --> 24 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja
Maksymalna prędkość dryfu nasycenia: 53 Metr na sekundę --> 53 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2

Ocenianie ... ...

P_m = 1691608.22832704

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1691608.22832704 Wat --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1691608.22832704 ≈ 1.7E+6 Wat <-- Maksymalna dopuszczalna moc

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Maksymalna dopuszczalna moc

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Maksymalna częstotliwość robocza

LaTeX Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

LaTeX Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

LaTeX Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Maksymalna częstotliwość oscylacji

LaTeX Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Zobacz więcej >>