Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET Kalkulator

✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).ⓘ Szerokość kanału [W_c]			+10% -10%
✖Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.ⓘ Efektywne napięcie [V_eff]			+10% -10%

✖Ładunek elektronowy w kanale odnosi się do ilości ładunku przenoszonego przez elektron w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego zastosowanego w urządzeniu.ⓘ Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET [Q_e]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Ładunek elektronowy w kanale - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek elektronowy w kanale odnosi się do ilości ładunku przenoszonego przez elektron w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego zastosowanego w urządzeniu.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność tlenkowa: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość kanału: 10 Mikrometr --> 1E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość kanału: 100 Mikrometr --> 0.0001 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Efektywne napięcie: 1.7 Wolt --> 1.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

Ocenianie ... ...

Q_e = 1.598E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.598E-12 Kulomb -->1.598 Picokulomb (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.598 Picokulomb <-- Ładunek elektronowy w kanale

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Częstotliwość przejścia MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

LaTeX Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

LaTeX Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

LaTeX Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Zobacz więcej >>

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET Formułę

LaTeX Iść

Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

Wyjaśnij cały proces regionu kanału tranzystora MOSFET tworzącego kondensator z równoległą płytą.

Bramka i obszar kanału tranzystora MOSFET tworzą kondensator o równoległej płytce, z warstwą tlenku działającą jako dielektryk kondensatora. Dodatnie napięcie bramki powoduje gromadzenie się ładunku dodatniego na górnej płycie kondensatora (elektrodzie bramki). Odpowiedni ładunek ujemny na płycie dolnej jest tworzony przez elektrony w indukowanym kanale. W ten sposób pole elektryczne rozwija się w kierunku pionowym. To właśnie to pole kontroluje ilość ładunku w kanale, a tym samym określa przewodność kanału, a co za tym idzie prąd, który przepłynie przez kanał po przyłożeniu napięcia.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!