NWD trzy liczby

Złącze wbudowane napięcie VLSI Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI Konstrukcja analogowa VLSI

✖Temperatura odzwierciedla, jak gorący lub zimny jest obiekt lub otoczenie.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.ⓘ Stężenie akceptora [N_A]			+10% -10%
✖Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.ⓘ Stężenie dawcy [N_D]			+10% -10%
✖Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.ⓘ Wewnętrzna koncentracja [N_i]			+10% -10%

✖Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.ⓘ Złącze wbudowane napięcie VLSI [Ø₀]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Złącze wbudowane napięcie VLSI Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
[BoltZ] - Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23

Używane funkcje

ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)

Używane zmienne

Złącze wbudowane w napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.
Temperatura - (Mierzone w kelwin) - Temperatura odzwierciedla, jak gorący lub zimny jest obiekt lub otoczenie.
Stężenie akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Stężenie dawcy - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.
Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Temperatura: 300 kelwin --> 300 kelwin Nie jest wymagana konwersja
Stężenie akceptora: 1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie dawcy: 1E+17 1 na centymetr sześcienny --> 1E+23 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzna koncentracja: 14500000000 1 na centymetr sześcienny --> 1.45E+16 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Ocenianie ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.75463200359389 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Wolt <-- Złącze wbudowane w napięcie

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Złącze wbudowane napięcie VLSI

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała

LaTeX Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Współczynnik DIBL

LaTeX Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Opłata za kanał

LaTeX Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Krytyczne napięcie

LaTeX Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Zobacz więcej >>

Złącze wbudowane napięcie VLSI Formułę

LaTeX Iść

Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!